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Phase Change Memory - Erste Muster werden ausgeliefert

Intel und STMicroelectronics demonstrieren Multi-Level-Cell-Chips mit PCM

Intel und STMicroelectronics liefern erste Prototypen-Muster von Phase Change Memory (PCM) aus. Die Speichertechnik könnte Flash-Speicher ersetzen, lassen sich damit doch schnellere und kleinere nichtflüchtige Speicherchips bauen.

Mit der Auslieferung der auf den Namen "Alverstone" getauften Chips wollen Intel und STMicroelectronics die Phase-Change-Memory-Technik dem realen Einsatz ein Stück näher bringen. Ihre Kunden können den Speicher nun testen und auch eine Massenproduktion rückt damit näher.

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Im Inneren eines Phase-Change-Speichers befindet sich eine winzige Menge einer Halbleiterlegierung, die schnell zwischen einer geordneten kristallinen Phase mit einem niedrigeren elektrischen Widerstand und einer ungeordneten amorphen Phase mit einem viel höheren elektrischen Widerstand wechseln kann. Da die Aufrechterhaltung beider Phasenzustände keine Stromzufuhr erfordert, ist der Phase-Change-Speicher nichtflüchtig.

Der Phasenzustand des Materials wird durch die Amplitude und Dauer des elektrischen Stromstoßes bestimmt, der für die Erwärmung des Materials genutzt wird. Wenn die Temperatur der Legierung bis etwas über den Schmelzpunkt erhöht wird, verteilen sich die durch Energiezufuhr angeregten Atome in einer zufälligen Anordnung. Wird die Stromzufuhr dann abrupt unterbrochen, erstarren die Atome in dieser willkürlich angeordneten, amorphen Phase. Wird die Stromzufuhr über einen längeren Zeitraum - ungefähr 10 Nanosekunden - reduziert, bleibt den Atomen genug Zeit, um in die bevorzugte, gut geordnete Struktur der kristallinen Phase zurückzukehren.

Ed Doller hält Phase Change Memory für den wichtigsten Fortschritt im Bereich nichtflüchtiger Speicher seit 40 Jahren. Doller ist designierter Chief Technology Officer von Numonyx, dem Gemeinschaftsunternehmen, das Intel und STMicroelectronics zur Entwicklung und Vermarktung von Speicherchips gegründet haben.

Parallel zu dieser Ankündigung stellten Intel und STMicroelectronics neue Forschungsergebnisse in Sachen Phase Change Memory auf der International Solid States Circuits Conference (ISSCC) vor. Gemeinsam konnten die beiden einen größeren Multi-Level-Cell-Chip (MLC) demonstrieren, der PCM verwendet. Damit lässt sich die Speicherdichte entsprechender Chips deutlich erhöhen.


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++gast++ 06. Feb 2008

Es ist von Multi-Level-Cell-Chips die Rede. D.h. nicht mehrere Ebenen (Layer) sondern...

lerpo 06. Feb 2008

?? Wie Du ja schon an anderer Stelle geäußert hast Bit statt Byte. Aber warum 95.37?

MartinP 06. Feb 2008

"Im Inneren eines Phase-Change-Speichers befindet sich eine winzige Menge einer...



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