ReRAM - Fujitsu macht Fortschritte mit der Flash-Alternative

Schnelles und energieeffizientes ReRAM könnte Flash-Speicher ersetzen

Fujitsu hat einen neuen Typ von so genanntem "Resistive RAM" (ReRAM) entwickelt, eine nicht flüchtige Speichertechnik, die eines Tages Flash-Speicher ersetzen könnte. Fujitsus ReRAM kommt dabei mit deutlich weniger Strom aus als bisherige Ansätze und arbeitet zudem deutlich schneller.

Artikel veröffentlicht am 14. Dezember 2007, 10:30 Uhr, Jens Ihlenfeld

ReRAM nutzt Material, das seinen Widerstand ändert, wenn eine Spannung angelegt wird. Die Technik lässt sich laut Fujitsu leicht miniaturisieren und preiswert herstellen. Da der Speicher dabei nicht flüchtig ist, könnte er eines Tages Flash-Speicher ersetzen.

Fujitsu nutzt dabei eine mit Titan (Ti) dotierte Schicht von Nickeloxid (NiO), um den Ladungsfluss vom Transistor zu beschränken. Dabei gelang es den Forschern an den Fujitsu Labs, die zum Löschen des Speichers notwendige Ladung auf unter 100 Mikro-Ampere zu reduzieren. Zudem kann eine größere Spannung zur Löschung genutzt werden, was die Zeit, die diese angelegt werden muss, auf 5 Nanosekunden verkürzt. Bisher musste die Spannung rund 10.000-mal länger angelegt werden.

Auch ein weiteres Problem bei ReRAM konnte Fujitsu reduzieren: Der Widerstand von ReRAM tendiert zu Fluktuationen, die mit der neuen Technik auf ein Zehntel reduziert werden.

Zu der Frage, wann ReRAM Marktreife erlangen und möglicherweise Flash-Speicher ersetzen könnte, machte Fujitsu keine Angaben.