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Toshiba und NEC entwickeln 32-Nanometer-Fertigung gemeinsam

Entscheidung über Basis-Technologien fällt erst 2008. Im Rennen um die nächstkleinere Strukturbreite in der Halbleiterfertigung verbünden sich erneut die japanischen Elektronik-Riesen NEC und Toshiba. Nach der 45-Nanometer-Fertigung, die beide Unternehmen gemeinsam entwickelt hatten, stehen jetzt 32 Nanometer an.
/ Nico Ernst
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Zwar hatten bereits Intel und dann Samsung im Jahr 2007 Test-Chips mit Strukturbreiten um 32 Nanometern gezeigt, die Massenfertigung von komplexen Bausteinen mit derart feiner Elektronik wird jedoch erst für das Jahr 2009 erwartet. Einfach aufgebaute DRAMs und Flash-Bausteine sind umfangreicheren Schaltungen wie Prozessoren dabei stets einige Monate voraus.

Bei 32 Nanometern werden die Probleme der Miniaturisierung jedoch immer größer, unter anderem denken die Halbleiter-Hersteller dabei über Belichtung mit Röntgenstrahlen (EUV) nach, so dass nun fleißig Allianzen geschmiedet werden: AMD und Qimonda arbeiten zusammen , ein ähnliches Bündnis hatten auch bereits IBM, Chartered, Samsung und Freescale angekündigt .

Nachdem Toshiba, NEC und damals noch Sony bereits zusammen Verfahren für 45-Nanometer-Chips seit Anfang 2006 entwickelt hatten , haben die beiden Unternehmen ihre Zusammenarbeit nun für 32 Nanometer verlängert. Im Laufe des Jahres 2008 sollen die Entscheidungen über die eingesetzten Technologien gefällt werden - wann dann die Serienfertigung aufgenommen wird, teilten die beiden Unternehmen noch nicht mit. Es ist jedoch davon auszugehen, dass - wie andere Halbleiterhersteller auch - die beiden Bündnispartner ebenfalls 2009 die Serienfertigung von 32-Nanometer-Chips aufnehmen werden.


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