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Toshiba baut MRAM mit Perpendicular-Recording

Fortschritte bei der Entwicklung von Magnetoresistive Random Access Memory

Toshiba vermeldet wesentliche Fortschritte bei der Entwicklung von "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM), das als potenzieller Nachfolger für DRAM und Flash-Speicher gehandelt wird. Anstelle einer elektrischen Speicherung wie bei DRAM und SRAM tritt bei MRAM eine magnetische Speicherung, ähnlich wie bei Festplatten. Die Technik verspricht hohe Speicherdichte und -geschwindigkeit bei geringem Stromverbrauch und hält ihre Daten auch ohne Stromzufuhr.

Artikel veröffentlicht am ,

So konnte Toshiba einen stabil funktionierenden MRAM-Chip fertigen, der "Spin Transfer Switching" und "Perpendicular Magnetic Anisotropy" (PMA) nutzt. Ersteres soll dafür sorgen, dass sich MRAM-Zellen mit einer deutlich geringeren Ladung schalten lassen, während PMA die Speicherdichte erhöht. Ähnlich wie bei aktuellen Festplatten mit Perpendicular Magnetic Recording werden Daten dabei vertikal gespeichert, was die Speicherdichte erhöht.

Darüber hinaus hat Toshiba nach eigenen Angaben weiter Probleme in Sachen MRAM überwunden und die notwendige Präzision im Schnittstellenprozess erreicht sowie den Stromverbrauch beim Schreiben von Daten verringert. Zudem habe man mit Hilfe dieser Techniken, kombiniert mit optimiertem Material und einer verbesserten Struktur, die Größe der Speicherzellen deutlich reduzieren und ein stabiles Funktionieren beobachten können, so Toshiba.



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huahuahua 09. Nov 2007

Präzisere Angaben zu Zugriffszeiten und Speicherdurchsatz wären jetzt noch interessant...

Käpptn Körk 07. Nov 2007

Von ähnlich schnell habe ich nichts gelesen. Der Unterschied ist aber, dass Flash...

NemesisTN 07. Nov 2007

LOL ymmd

Jay Äm 07. Nov 2007

10 Jahre - dann sind die Daten Schrott... Flash arbeitet mit ner Elektronenfalle, aber...

_joe_ 07. Nov 2007

Frage: Warum is das Bild nur auf der Startseite? *grr*


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