Fortschritte bei der Entwicklung von Magnetoresistive Random Access Memory. Toshiba vermeldet wesentliche Fortschritte bei der Entwicklung von "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM), das als potenzieller Nachfolger für DRAM und Flash-Speicher gehandelt wird. Anstelle einer elektrischen Speicherung wie bei DRAM und SRAM tritt bei MRAM eine magnetische Speicherung, ähnlich wie bei Festplatten. Die Technik verspricht hohe Speicherdichte und -geschwindigkeit bei geringem Stromverbrauch und hält ihre Daten auch ohne Stromzufuhr.
So konnte Toshiba einen stabil funktionierenden MRAM-Chip fertigen, der "Spin Transfer Switching(öffnet im neuen Fenster)" und "Perpendicular Magnetic Anisotropy" (PMA) nutzt. Ersteres soll dafür sorgen, dass sich MRAM-Zellen mit einer deutlich geringeren Ladung schalten lassen, während PMA die Speicherdichte erhöht. Ähnlich wie bei aktuellen Festplatten mit Perpendicular Magnetic Recording werden Daten dabei vertikal gespeichert, was die Speicherdichte erhöht.
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Darüber hinaus hat Toshiba nach eigenen Angaben weiter Probleme in Sachen MRAM überwunden und die notwendige Präzision im Schnittstellenprozess erreicht sowie den Stromverbrauch beim Schreiben von Daten verringert. Zudem habe man mit Hilfe dieser Techniken, kombiniert mit optimiertem Material und einer verbesserten Struktur, die Größe der Speicherzellen deutlich reduzieren und ein stabiles Funktionieren beobachten können, so Toshiba.
