IBM und TDK wollen gemeinsam an MRAM forschen

"Spin-Momentum-Transfer-Effekt" soll für höhere Speicherdichte sorgen

IBM und TDK wollen gemeinsam MRAM (Magnetic Random Access Memory) mit hoher Kapazität entwickeln. Dabei handelt es sich um eine Alternative zu Flash-Speicher und statischen RAMs. Gegenüber Flash sollen MRAMs nahezu unbegrenzt wiederbeschreibbar sein und wesentlich länger halten. Dabei setzen IBM und TDK auf einen neuen Ansatz, der höhere Speicherdichten erlauben soll als bisherige MRAM-Umsetzungen.

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IBM und TDK setzen auf den "Spin-Momentum-Transfer-Effekt", der gegenüber den bisher für MRAM genutzten Verfahren höhere Speicherdichten erlaubt, so die Unternehmen. Die beiden wollen ihr Know-how zusammenbringen, um MRAM-Bausteine zu entwickeln, die eine hohe Speicherdichte und Speicherkapazität besitzen. Diese Bausteine sollen später als eigenständiger Speicher, aber auch eingebettet in andere Chips zum Einsatz kommen.

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Bisher sei ein Erfolg von MRAM vor allem daran gescheitert, dass es nicht gelungen sei, die Speicherdichte zu steigern. Mit der Spin-Momentum-Transfer-Technik wollen IBM und TDK nun die Größe der MRAM-Speicherzellen verkleinern und so die Speicherdichte erhöhen, ohne dabei die Vorteile von MRAM zu verlieren.

Letztendlich soll MRAM nach dem Willen von IBM und TDK so zum bevorzugten Speicher in Handys, Handhelds, industriellen Systemen und dem Automobilbereich werden. Geforscht werden soll dabei in IBMs TJ Watson Research Center in Yorktown Heights (New York), IBMs Almaden Research Center in San Jose (Kalifornien), IBMs ASIC Design Center in Burlington (Vermont) sowie TDKs R&D Center in Milpitas (Kalifornien).

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