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HP macht Präge-Lithographie mit 15 Nanometern serienreif

Stempel-Verfahren an Spinoff-Unternehmen lizenziert. Forscher von Hewlett-Packard und der Universität Kalifornien in Los Angeles haben ein Verfahren entwickelt, mit dem sich sehr kleine Strukturen in Halbleitern herstellen lassen. Nicht durch Belichtung, sondern durch mechanische Prägung soll eine Strukturbreite von 15 Nanometern erreicht werden.
/ Nico Ernst
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Die Herstellung immer feinerer Strukturen, die mehr Funktionseinheiten und geringeren Spannungsbedarf ermöglichen, ist als "Moore's Law" in der Halbleiter-Branche ein wie ein Naturgesetz behandeltes Paradigma. Bei der bisher üblichen Methode, die Schaltungen durch Belichtung herzustellen, stößt man jedoch an physikalische Grenzen. Schon nach dem übernächsten Schritt von 45 auf 32 Nanometer Strukturbreite ist die Belichtung nur noch mit Röntgenstrahlen möglich, die auch "Extreme Ultra Violett" (EUV) genannt werden.

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Einen ganz anderen Ansatz verfolgt HP bereits seit zehn Jahren, in denen an einem Präge-Verfahren für die Strukturen gearbeitet wurde. Schon 2003 stellten HP-Forscher in der Zeitschrift "Applied Physics Letters" die Idee vor: Auf ein Positiv-Relief (also mit Erhebungen) wird ein Rohling gepresst, der dann die Vertiefungen der künftigen Leiterbahnen enthält. Dieser geprägte Rohling wird schließlich mit Metallen gefüllt, welche dann die Schaltung bilden.

Inzwischen soll die "Nanoimprint Lithography" (NIL) serienreif sein. Nicht nur mit Labormustern sollen sich 15 Nanometer breite Leiterbahnen herstellen lassen, die aus 50 Atomlagen Breite bestehen. HP hat dafür zusammen mit Ex-Mitarbeitern das Unternehmen "Nanolithosolutions" ausgegliedert und sich an der Firma in ungenannter Höhe beteiligt. Nanolithosolutions hat nach eigenen Angaben bereits einen Maskenträger hergestellt, der in die herkömmlichen Maschinen einer Halbleiterfabrik passt. Die nötigen Patente für das Gerät wurden von HP an Nanolithosolutions lizenziert.

HP verspricht sich von der neuen Technik Anwendungen bei Biochips und optischen Schaltungen in Halbleitern. Inwieweit sich das Verfahren auch für Prozessoren und Speicher eignen kann, ist noch nicht bekannt.


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