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eDRAM - Schneller On-Chip-Speicher von IBM

Prozessor und Speicher sollen enger zusammenrücken

IBM stellt auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) eine neue Technik für "Embedded DRM" vor, kurz "eDRAM" genannt. Damit soll sich die Leistung von Multi-Core-Prozessoren steigern lassen. Profitieren sollen vor allem grafiklastige Anwendungen.

Die eDRAM-Technik soll einer der Schlüsselfaktoren in IBMs 45-Nanomenter-Prozess werden, den IBM ab Anfang 2008 anbieten will. Durch das integrierte DRAM soll die Speicherleistung innerhalb des Prozessors im Vergleich zum SRAM (Static RAM) erhöht werden, wobei rund ein Drittel weniger Platz benötigt wird. Zudem soll der Stromverbrauch im Stand-by-Modus gegenüber SRAM um ein Fünftel zurückgehen.

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Die Speicherzelle misst 0,126 Quadratmillimeter, benötigt 1 Volt Spannung und eine Stromstärke von 76 Milliwatt bzw. im Stand-by-Betrieb 42 Milliwatt. Die Latenz soll bei 1,5 Nanosekunden liegen.

Prozessor und Speicher sollen dank eDRAM enger zusammenrücken und die Leistung insgesamt über das Maß hinaus gesteigert werden, was eine einfache Skalierung leisten kann.


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Hossi 15. Feb 2007

und wer scheiße ist ..., ist zu scheiße um darüber zu Philosophieren, .. vor lauter...

jnx 14. Feb 2007

..hast ja recht, allerdings muesstest du dann ja auch wissen, dass 1V da nicht viel...

Blubberlutsch 14. Feb 2007

Ah ok, aber sollte man den Artikel dann nicht ewas anders schreiben? Liest sich eher so...



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