IBM ab 2008 mit High-k-Transistoren in 45 Nanometern

Neues Dielektrikum gegen Leckströme

Nach Intels Ankündigung eines neuen Transistor-Designs für die Herstellung von Halbleitern mit 45 Nanometern Strukturbreite zieht jetzt IBM nach und will ab dem Jahr 2008 ebenfalls so genannte "High-k-Materialien" verwenden.

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Damit liegt IBM knapp hinter Intel, die ihre 45-Nanometer-Schaltungen bereits Mitte 2007 in Serie fertigen wollen. IBM will erst 2008 in seinem Werk in East Fishkill im US-Bundesstaat New York die Massenproduktion von Halbleitern mit einem hochisolierenden Material und einem Gate aus Metall aufnehmen. Entwickelt wurde die Technologie zusammen mit AMD, Sony und Toshiba.

In welchen Produkten die neuen Transistoren verwendet werden sollen, gab IBM noch nicht bekannt. Es liegt jedoch nahe, dass auch die IBM-Partner wie AMD und Sony mit ihren derzeit noch vergleichsweise stromhungrigen Prozessoren das IBM-Verfahren so bald wie möglich einsetzen werden. Welche Stoffe IBM für sein Dielektrikum einsetzt und woraus das Metal-Gate gefertigt ist, gab IBM noch nicht bekannt. Weitere Ankündigungen dazu werden für die Konferenz ISSCC erwartet, die ab 14. Februar 2007 in San Francisco stattfindet.

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