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Intels "Penryn" mit mehr Cache und neuartigen Transistoren

Gerade im Server-Umfeld ist aber der Stromverbrauch durch die ständig steigende Dichte an Prozessoren pro Rack immer wichtiger geworden, so dass Intel auch hier angesetzt hat. Als Isolator am Boden des Transistors kommt beim 45-Nanometer-Verfahren ein so genanntes "High-k-Dielektrikum" zum Einsatz. Auch hier spielt Metall eine Rolle, in diesem Fall das Element Hafnium. Bisher wird hier vor allem Silizium-Dioxid zur Isolation eingesetzt, weil es sich auf der Silizium-Oberfläche recht einfach herstellen lässt.

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Querschnitt durch 45-nm-Transistor
Querschnitt durch 45-nm-Transistor
Dank der Hafnium-Verbindung sollen sich aber gegenüber den bisherigen Dielektrika die Leckstöme um den Faktor 10 reduzieren lassen. Wegen dieser großen Verbesserung wollte Intel auch auf Nachfrage die Art des Hafnium-Einsatzes nicht angeben. Man habe sie durch zahlreiche Patente geschützt und obendrein gebe es hunderte von Möglichkeiten, einen Hafnium-Isolator zu bauen, erklärte Intels Halbleiter-Vize Steve Smith. Das neue Dielektrikum ist für einen 45-Nanometer aber nicht nur elegant, sondern auch notwendig. Das bisherige Gate-Oxid bestand auch bei 65 Nanometern nur aus wenigen Atomlagen und beim nebenstehenden Querschnitt können durch einen 45-Nanometer-Transistor sogar im Silizium-Substrat die einzelnen Atome gesehen werden.

Die Kombination aus Metall-Gate und Hafnium-Isolator beschreibt Intel-Mitbegründer Gordon Moore - bekannt durch sein "Moores Law" - dennoch als "größte Veränderung in der Transistor-Technik seit der Einführung von MOS-Transistoren aus Polysilizium in den späten 1960er-Jahren". Zwar sind derartige High-k-Materialien in der Forschung schon länger bekannt, Intel will sie jedoch erstmals in großen Mengen in einem Prozessor verbauen.

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Plattler 30. Jan 2007

Mein Beitrag ist auch futsch. Will mal glauben, dass da kein böser Wille dahinter steht...

stillerBeobachter 30. Jan 2007

warum ist diese nachricht nicht schon längst in den untiefen des golemschen archives...

HeiKah 29. Jan 2007

Also mal aufs TEM-Foto geguckt und Funktionsweise erraten: - Low resistance Layer: Klar...

jojojij2 29. Jan 2007

jep definitiv.. ich freue mich schon auf neue prozessoren im nächsten jahr.. ende disen...

jojojij2 29. Jan 2007

High-k-Dielektrikum und Metallelektroden heißt das zeug


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