Infineon: Komplexe Schaltung mit 3D-Transistoren

FinFETs in 65 Nanometern Strukturbreite hergestellt

Nach IBM - zusammen mit Technologiepartner AMD - und Intel hat nun auch Infineon funktionierende Transistoren mit mehreren Gates in dreidimensionaler Struktur hergestellt. Das Unternehmen hofft, die Technologie bis 2012 serienreif zu haben und verspricht sich davon einen deutlich reduzierten Strombedarf.

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Bereits im Jahr 2001 hatte IBM einen "FINFET"-Transistor im Labor gebaut: Um ein senkrecht stehendes Silizium-Element, die "Finne", hatte man drei Gates eines Feld-Effekt-Transistors (FET) konstruiert. Intel ging schließlich Mitte 2006 noch einen Schritt weiter und präsentierte eine Schaltung mit drei Gates. Beiden Demonstrationen war gemein, dass sie die prinzipielle Funktionsweise beweisen konnten, eine komplexe Schaltung war mit den neuen Transistoren aber noch nicht vorgeführt worden.

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Infineons FINFET mit zwei Gates
Infineons FINFET mit zwei Gates

Infineon will das nun erreicht haben. Aus über 3.000 FINFETs mit zwei Gates will man die nach eigenen Angaben weltweit erste komplexe Schaltung mit der neuen Transistor-Bauform hergestellt haben. Da die Gates auf einer viel größeren Oberfläche als bei planaren Transistoren angebracht sind, ließ sich laut Infineon der Stromverbrauch der Schaltung um die Hälfte gegenüber bisherigen 65-Nanometer-Bauweisen reduzieren. Angaben zur Spannung, mit der die Schaltung arbeitet, machte Infineon nicht.

Im europäischen Forschungszentrum IMEC (Interuniversity Micro Electronics Center) im belgischen Leuven will Infineon seine Entwicklungen in Zusammenarbeit mit Wissenschaftlern aus ganz Europa weiter verfeinern. Während Intel sich noch mit dem Jahr 2011 für die ersten Multi-Gate-Transistoren recht zuversichtlich gab, rechnet Infineon mit einer kommerziellen Anwendung der Technologie frühestens im Jahr 2011 - vielleicht aber auch erst 2012.

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