CF-Karten mit 64 GByte durch Flash-Bausteine mit 40 nm

Neues NAND-Flash von Samsung mit anderer Transistorstruktur

Samsung hat erste Prototypen von Flash-Bausteinen mit einer Strukturbreite von nur 40 Nanometern hergestellt. Damit passen 32 GBit auf einen Chip, die neuen Halbleiter verfügen zudem über eine andere Struktur und sind aus anderen Materialien gefertigt als bisher.

Artikel veröffentlicht am 12. September 2006, 11:43 Uhr, Nico Ernst

Bei den neuen Bausteinen handelt es sich in der Funktionsweise um herkömmliches NAND-Flash, wie es im boomenden Markt von Handy, MP3-Playern und Digitalkameras in immer höheren Stückzahlen benötigt wird. Samsung hat jedoch die Struktur der Gates der Transistoren so verändert, dass das "Floating Gate" entfallen kann. Die temporäre Speicherung der Ladungen beim Schreibvorgang, dem Flashen, findet nicht mehr in einem eigenen Gate statt, sondern in einer dielektrischen Schicht aus Siliziumnitrit.

Da einer der Bausteine 32 GBit speichert, kann man auf einer Compact-Flash-Karte, in die 16 Chips passen, maximal 64 GByte des neuen Speichers unterbringen. Samsung machte jedoch noch keine Angaben zur Die-Größe der neuen Speicher, ebenso steht noch nicht fest, wann das Unternehmen die Serienfertigung aufnehmen will. Mit 40 Nanometern Strukturbreite ist der neue Baustein jedoch eine der feinsten Strukturen, welche die Halbleiter-Branche bisher hervorgebracht hat. Durch ihren vergleichsweise einfachen Aufbau sind die Flash-Chips komplexen Schaltungen wie Prozessoren dabei immer eine Generation voraus - gegenwärtig fertigt Intel seine Prozessoren mit 65 Nanometern Strukturbreite, und bereitet - wie auch Chartered und IBM - den Wechsel auf 45 Nanometer vor.