PRAM: Samsung stellt sein "perfektes RAM" vor

PhasechangeRAM - nichtflüchtiger Speicher so schnell wie RAM. Samsung hat einen ersten funktionsfähigen Prototypen eines "Phase-change Random Access Memory"-Moduls (PRAM) gefertigt. Geht es nach Samsung, wird PRAM innerhalb von zehn Jahren NOR-Flash ersetzen. Der Prototyp hat eine Speicherkapazität von 512 MBit.

11. September 2006 um 11:40 Uhr / Jens Ihlenfeld

PRAM soll deutlich besser skalierbar sein als jede andere Speichertechnik, an der aktuell geforscht wird. Zudem vereine die Technik die Vorteile von RAM und Flash-Speicher zu einem besonders schnellen, nichtflüchtigen Speicher. Samsung übersetzt PRAM daher auch mit "Perfect RAM".

Samsung betont vor allem die hohe Geschwindigkeit von PRAM, denn Daten können geschrieben werden, ohne dass zuvor angesammelte Daten gelöscht werden müssen. Damit sei PRAM effektiv rund 30-mal schneller als normaler Flash-Speicher. Zudem soll PRAM im Vergleich mit Flash-Speicher eine rund zehnmal längere Lebensdauer besitzen.

Voraussichtlich ab 2008 soll PRAM dem heute genutzten NOR-Flash Konkurrenz machen. Dabei seien die Speicherzellen mit einer Fläche von 0,0467 Quadratmikrometern nur halb so groß wie bei NOR-Flash, so Samsung.

Auch die Herstellung soll einfacher sein, die Zahl der notwendigen Prozessschritte sei um 20 Prozent geringer. Das Unternehmen nutzt nach eigenen Angaben vertikale Dioden in einer dreidimensionalen Transistor-Struktur, wie sie Samsung auch zur DRAM-Herstellung nutzt. Da sich die Zellen untereinander nicht stören, soll die Speichertechnik fast beliebig skalierbar sein.

Samsung erwartet, dass PRAM vor allem im Handy-Bereich und anderen mobilen Endgeräten zum Einsatz kommen wird. Entsprechende Geräte sollen von der höheren Geschwindigkeit spürbar profitieren.