PRAM: Samsung stellt sein "perfektes RAM" vor

PhasechangeRAM - nichtflüchtiger Speicher so schnell wie RAM

Samsung hat einen ersten funktionsfähigen Prototypen eines "Phase-change Random Access Memory"-Moduls (PRAM) gefertigt. Geht es nach Samsung, wird PRAM innerhalb von zehn Jahren NOR-Flash ersetzen. Der Prototyp hat eine Speicherkapazität von 512 MBit.

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PRAM soll deutlich besser skalierbar sein als jede andere Speichertechnik, an der aktuell geforscht wird. Zudem vereine die Technik die Vorteile von RAM und Flash-Speicher zu einem besonders schnellen, nichtflüchtigen Speicher. Samsung übersetzt PRAM daher auch mit "Perfect RAM".

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Samsung betont vor allem die hohe Geschwindigkeit von PRAM, denn Daten können geschrieben werden, ohne dass zuvor angesammelte Daten gelöscht werden müssen. Damit sei PRAM effektiv rund 30-mal schneller als normaler Flash-Speicher. Zudem soll PRAM im Vergleich mit Flash-Speicher eine rund zehnmal längere Lebensdauer besitzen.

PRAM-Prototyp von Samsung
PRAM-Prototyp von Samsung

Voraussichtlich ab 2008 soll PRAM dem heute genutzten NOR-Flash Konkurrenz machen. Dabei seien die Speicherzellen mit einer Fläche von 0,0467 Quadratmikrometern nur halb so groß wie bei NOR-Flash, so Samsung.

Auch die Herstellung soll einfacher sein, die Zahl der notwendigen Prozessschritte sei um 20 Prozent geringer. Das Unternehmen nutzt nach eigenen Angaben vertikale Dioden in einer dreidimensionalen Transistor-Struktur, wie sie Samsung auch zur DRAM-Herstellung nutzt. Da sich die Zellen untereinander nicht stören, soll die Speichertechnik fast beliebig skalierbar sein.

Samsung erwartet, dass PRAM vor allem im Handy-Bereich und anderen mobilen Endgeräten zum Einsatz kommen wird. Entsprechende Geräte sollen von der höheren Geschwindigkeit spürbar profitieren.

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