Toshiba und Sandisk: Neue Fab für Flash-Speicher in Japan

Produktionsstart in neuem Halbleiterwerk Ende 2007 erwartet

Der Halbleiter-Riese Toshiba und Flash-Vermarkter Sandisk bauen in Japan eine neue Halbleiter-Fabrik für Flash-Speicher auf, die auf 300 Millimeter großen Wafern gefertigt werden sollen. Das in Toshibas Nummerierung "Fab 4" genannte Werk soll NAND-Speicher für den weiterhin boomenden Flash-Markt herstellen.

Artikel veröffentlicht am 4. August 2006, 11:26 Uhr, Nico Ernst

NAND-Speicher werden vor allem dort gebraucht, wo Daten von einem Flash-Speicher häufig gelesen werden und nicht im dauernden Wechsel auch geschrieben werden - also etwa in MP3-Playern und Digitalkameras. Während Intel beispielsweise massiv in NOR-Flash investiert, das als Festplattenersatz dienen kann, konzentriert sich Toshiba weiter auf NAND-Bausteine, die vergleichsweise wenige Schreibzyklen überleben.

Dafür baut das Unternehmen nun mit Hilfe von Sandisk im japanischen Yokkaichi auf der Hauptinsel Honshu nun ein neues Halbleiterwerk, das umgerechnet rund 2 Milliarden Euro kosten soll. Dieses Investitionsvolumen liegt im Rahmen von Top-Fabs, wie sie etwa AMD oder Intel in den letzten Jahren aus dem Boden gestampft haben. Toshiba sorgt dabei für das Gebäude, die Produktionsanlagen steuert Sandisk im Rahmen eines neuen Joint Venture namens "Flash Alliance Ltd." bei. Ob und in welcher Höhe auch staatliche Förderungen eine Rolle spielen, gaben die beiden Unternehmen nicht bekannt.

Die Fabrik soll besonders erdbebensicher sein und durch ihre Konstruktion zwei Drittel der in dieser Gegend häufigen Erdstösse abfangen können. Gegen plötzliche Stromausfälle, die in der Halbleiterproduktion fatal sein können, soll eine besondere Notfall-Abschaltung helfen, welche die Anlagen kontrolliert herunterfährt. Bereits im dritten Quartal 2007 soll die Fab 4 anfangs 2.500 Wafer mit 300 Millimetern Durchmessern pro Monat herstellen. Ein Jahr später soll das Werk seine volle Kapazität von 67.500 Wafern je Monat erreichen.