Flash-Speicher: Intel greift nach dem Handy-Markt
Derzeit liefert Intel erste Muster seines NOR-Flash(öffnet im neuen Fenster) an Handy-Hersteller aus. Anders als die bei MP3-Playern und Speicherkarten üblichen NAND-Zellen(öffnet im neuen Fenster) halten Flash-Speicher in NOR-Bauweise mehrere hunderttausend Schreibzyklen aus und eignen sich daher auch für den täglich gebrauchten Speicher eines Handys. Denn schließlich muss bei jedem Telefonat die Rufnummer in der Anrufliste gespeichert werden und darf auch beim Ausschalten nicht verloren gehen – das erledigen in Handys Flash-Bausteine. Sie speichern auch SMS-Nachrichten, Bilder und andere Daten im Mobiltelefon.
Intels neue Bausteine enthalten 32 MByte bis 256 MByte Flash-Speicher in Form von Multi-Chip-Modulen, bei denen mehrere Halbleiter-Plättchen in einem Gehäuse, dem Package, Platz finden. In das bei Handy-Designs verbreitete Package "QUAD+", das Intel jetzt anbietet, passen dabei optional auch noch einige Megabyte DRAM als flüchtiger Arbeitsspeicher für den Prozessor des Telefons. Daneben hat Intel auch getrennte Bausteine für mehrere Flash-Chips und das DRAM für Handys vorgestellt. Gefertigt werden die ersten Muster in 130 und 90 Nanometern Strukturbreite, bis 2007 will Intel den Herstellungsprozess komplett auf 65 Nanometer umstellen.
Nach Angaben von Intel werden einige Hersteller von Mobiltelefonen noch im dritten Quartal des Jahres 2006 Handys mit den neuen Flash-Speichern vorstellen – Namen seiner Kunden nennt Intel jedoch nicht. Die neuen Bausteine zielen ausdrücklich auf den Lowcost-Markt, wo sich die Anbieter von Mobiltelefonen noch die größten Zuwachsraten versprechen. Nach Angaben des internationalen Verbandes der Mobilfunkbranche "GSM Association" nutzen nur 20 Prozent der Weltbevölkerung ein Handy – vor allem wegen der hohen Kosten des Geräts selbst.
Hinter Intels Ankündigung steckt auch ein Stückchen Ironie: Der Konzern hatte seine Sparte für Smartphone-Prozessoren erst Ende Juni 2006 an Marvell verkauft.
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