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Intel kündigt NOR-Flash in 65-Nanometer-Technik an

Erste Muster sollen Ende des zweiten Quartals 2006 ausgeliefert werden

Intel will am Ende des zweiten Quartals 2006 erste Testmuster seiner NOR-Flash-Speicher in Multi-Level-Cell-Technik ausliefern. Damit will Intel das erste Unternehmen mit entsprechenden Chips in 65-Nanometer-Technik und mit einer Speicherdichte von 1 GBit auf dem Markt sein.

Artikel veröffentlicht am ,

Zum Einsatz kommen Intels NOR-Flash-Speicher beispielsweise in Mobiltelefonen als Speicher für Anwendungen, PIM-Daten sowie Fotos, Musik oder Videos. Handy-Hersteller sollen die neuen Chips leicht integrieren können, da diese auf einer einheitlichen Flash-Architektur basieren, was die Migration von 90 auf 65 Nanometer erleichtert.

Intel produziert bereits seit der zweiten Jahreshälfte 2005 Halbleiter auf Basis des Herstellungsverfahrens mit 65 Nanometer Strukturbreite und liefert entsprechende Prozessoren für Notebooks, Desktop-Computer, Server und Embedded-Anwendungen.

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:-) 05. Apr 2006

Je nach verwendetem Transistortyp (selbstleitend oder selbstsperrend) müssen...

BG.. 04. Apr 2006

und ich zitiere: "mit einer Speicherdichte von 1 GBit auf dem Markt sein." ich stutze da...


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