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Schnelles MRAM und FeRAM von Toshiba

Chips schreiben und lesen Daten mit 200 MByte/s

Toshiba vermeldet zur ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) 2006 in San Francisco Fortschritte bei FeRAM und MRAM. So hat Toshiba nach eigenen Angaben den bislang schnellsten und auch mit der höchsten Speicherdichte versehenen MRAM-Chip vorgestellt.

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FeRAM steht für "Ferroelectric Random Access Memory" und soll die Geschwindigkeit von DRAM und SRAM mit den nicht flüchtigen Eigenschaften von Flash-Speicher kombinieren.

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Toshibas neuer FeRAM-Chip speichert 64 MBit und erreicht Datenübertragungsraten beim Lesen und Schreiben von 200 MByte pro Sekunde, so Toshiba. Gefertigt wurde der Chip in einem 130-Nanometer-CMOS-Prozess auf Basis von Toshibas chainFeRAM-Architektur, was für eine geringe Größe der einzelnen Speicherzellen sorgen soll. Auch ECC zur Fehlerkorrektur wurde integriert.

Zum Einsatz kommen soll FeRAM in mobilen Endgeräten und digitaler Unterhaltungstechnik sowie im Computerbereich. In eine ähnliche Richtung in Bezug auf Anwendungen geht auch der von Toshiba zusammen mit NEC entwickelte neue MRAM-Chip. MRAM steht hier für "Magnetoresistive Random Access Memory".

Der jetzt von den beiden Unternehmen vorgestellte MRAM-Chip soll die bislang höchste Datendichte mit den schnellsten Schreib- und Lese-Geschwindigkeiten vereinen. Er erreicht eine Kapazität von 16 MBit und kann Daten ebenfalls mit bis zu 200 MByte pro Sekunde lesen und schreiben. Zudem soll der Chip mit einer Spannung von 1,8 Volt arbeiten können und somit besonders für mobile Endgeräte geeignet sein.



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krriel 02. Jan 2010

Also im Vergleich zu den Flash-Speicher-Anfängen sind 16MBit schon viel, die ersten Flash...

Clystron 21. Feb 2006

Bei neueren Typen sieht das schon anders aus. Für das FM1608 z.B. gibt Ramtron noch "1...


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