Künftige AMD-Prozessoren mit Z-RAM?
Im Vergleich zu DRAM- und dem bei Prozessor-Cache derzeit gebräuchlichen SRAM soll Z-RAM eine zwei- bzw. fünfmal höhere Packungsdichte erzielen - es können also auf gleicher Fläche deutlich mehr Daten untergebracht werden. Z-RAMs können in einem normalen Silicon-on-Insulator-Fertigungsprozess (SOI) ohne Notwendigkeit für neue Materialien oder zusätzliche Fertigungsschritte eingesetzt werden.
AMD setzt bereits seit den ersten, noch in 130-nm-Prozesstechnik gefertigten Athlon-64- und Opteron-Modellen auf SOI. Der Einsatz der gemeinsam mit IBM entwickelten SOI-Technik soll AMD auch einen problemloseren Wechsel auf 90 nm beschert haben.
Gegenüber EETimes(öffnet im neuen Fenster) erklärte Craig Sander, AMDs Corporate Vice President of Technology Development, dass die Z-RAM-Technik sehr vielversprechend sei, man aber noch Skalierungstests mit der eigenen Technik vornehmen müsse. Dies werde voraussichtlich mit 65- und 90-nm-Technik auf Wafern aus Dresden erfolgen. Wie schnell die Technik ihren Weg in AMD-Prozessoren finden wird, bleibt abzuwarten - da die Lizenzvereinbarung gerade erst getroffen wurde, dürfte es wohl noch eine Weile dauern.
Seitens AMD Deutschland heißt es, dass die aktuellen AMD-Prozessoren nicht mehr deutlich von einem größeren Cache profitieren würden, da ohnehin eine schnelle Hauptspeicher-Anbindung durch den integrierten Speicher-Controller gewährleistet sei. Allerdings könnte mit Z-RAM die Die-Größe der CPUs weiter geschrumpft und beispielsweise auch in einem Dual- oder Mehrkern-Prozessor jedem Kern ein größerer, eigener Cache verpasst werden.