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AMD und IBM - gemeinsam stark mit 65 nm

Neue Fertigungstechniken für stromsparende High-End-Prozessoren

AMD und IBM haben auf dem "2005 IEEE International Electron Devices Meeting" (IEDM) Fortschritte bei der Entwicklung neuer 65-nm-Prozesstechnologien und passender Materialien zur Herstellung von Hochleistungsprozessoren verkündet. Die Unternehmen wollen mit ihrer dritten Strain-Generation eine 40 Prozent höhere Transistorleistung erzielt haben, ohne den Stromverbrauch sowie die Verlustwärme zu steigern.

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Dies sei den Partnern zufolge gelungen, indem Embedded Silizium-Germanium (e-SiGe) mit "Dual Stress Liner" (DSL) und "Stress Memorization Technologie" (SMT) auf SOI-Wafern (Silicon-On-Insulator) kombiniert wurde. Die von AMD und IBM genannte 40 Prozent höhere Transistorleistung gilt im Vergleich zu ähnlichen Chips, die mit "Stress-Technologie" hergestellt werden.

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Die Leistungssteigerung bei den neuen Fertigungstechniken basiert auf Isolationsmaterialien mit niedrigeren dielektrischen Konstanten (Lower-K), die kürzere Signallaufzeiten durch die Interconnects ermöglichen. Gleichzeitig soll der Leistungsverbrauch sinken. Beide Unternehmen wollen die Entwicklungsergebnisse nutzen, um künftige 65-nm-Prozessoren mit noch mehr Leistung und geringerem Energieverbrauch zu entwickeln, heißt es in einer Ankündigung. Wann es so weit ist, wurde noch nicht angegeben. AMDs 65-nm-Prozessoren werden ab Mitte 2006 erwartet.

Gary Patton, Vize-Präsident von IBMs Halbleiter-Forschungsabteilung, zeigt sich überzeugt von der Entwicklungspartnerschaft zwischen AMDs Halbleiterwerk in Dresden und IBMs Semiconductor Research and Development Center in East Fishkill. Es sei der richtige Weg, um "bei Hochleistungschips mit Strukturen, die fast im atomaren Bereich liegen, Probleme mit dem Leistungsverbrauch und der Wärmeentwicklung zu lösen".

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plattfuss 22. Jan 2006

Hat aber auch einen "Klassepreis" für wenig Leistung....

Der Beobachter 07. Dez 2005

Was sagt uns diese Meldung? Das in diesem Bereich Fortschritte gemacht werden dürfte klar...


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