Intel und Corning kooperieren bei EUV-Lithographie

Produktion mit Extreme-Ultraviolet-Lithographie soll 2009 starten

Intel und Corning wollen zusammen Substrate für ULE-Glas-Fotomasken (Ultra Low Thermal Expansion) entwickeln, die in der EUV-Lithographie (Extreme Ultraviolet) eingesetzt werden können. Erste Chips mit Hilfe der EUV-Technik wollen die beiden Unternehmen ab 2009 produzieren.

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Mit Hilfe von Lithographie-Werkzeugen werden in der Chipherstellung Muster auf Silizium-Wafer aufgetragen. Dabei kommen heute Wellenlängen von 193 Nanometern zum Einsatz, mit denen 50 Nanometer kleine Transistoren hergestellt werden können.

Bei der EUV-Lithographie hingegen wird Licht mit Wellenlängen von nur 13,5 Nanometern eingesetzt, so dass sich deutlich kleinere Strukturen erzeugen lassen als mit der aktuellen Technik. Vor diesem Hintergrund wird die EUV-Lithographie als Nachfolger der 193-Nanometer-Lithographie gesehen.

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