UMTS-Chip für weltweiten Einsatz
Bei der Datenübertragung von der Basisstation zum Mobilgerät erfüllt SMARTi 3G die mit HSDPA-spezifizierte Downlink-Datenrate von maximal 7,2 MBit pro Sekunde (MBit/s) gemäß Kategorie 8. Die Datenrate von Basisstation zum Mobilgerät bei heutigen UMTS-Handys ohne HSDPA beträgt nur 384 Kilobit pro Sekunde (KBit/s).
Dabei ist der Baustein trotz neuer Funktionen in der Gehäuseabmessung kleiner geworden und misst nur 5 x 5 mm.
Der SMARTi 3G erlaubt es den Herstellern auch, Lösungen für die USA zu entwickeln, wo W-CDMA auf 850 MHz und 1.900 MHz betrieben wird und sich UMTS die gleichen Frequenzbänder mit GSM teilt.
Der SMARTi 3G verfügt über die gleichen Schnittstellen wie sein Vorgänger, der SMARTi U, und ist damit zu einem Großteil existierender Basisband-ICs kompatibel. Der Chip wird in Infineons 130-nm-CMOS-Prozess gefertigt. Geliefert wird er in einem grünen (bleifrei, halogenfrei) Single-PG-WFSGA-Gehäuse (Very Very Thin Fine Pitch Semiball Grid Array) mit 81 Pins und 0,5 mm Pitch. Die Versorgungsspannung liegt zwischen 2,7 V und 3,0 V.
Muster des Chips sollen ab sofort verfügbar sein, das Start der Volumenproduktion ist für Anfang 2006 geplant. Erste Mobiltelefone auf Basis des Chips werden bereits entwickelt.
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