Infineon: DDR2-Module mit 2 GByte für Notebooks

Außerdem: GDDR3 für Grafikkarten und 1GB-Micro-DIMMs

Auf Basis seiner "Dual-Die"-Technologie hat Infineon die ersten Muster von SO-DIMMs gefertigt, die eine Gesamtkapazität von 2 GByte bieten. Außerdem stellte das Unternehmen neue GDDR3-Speicher für Grafikkarten vor.

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DDR2-SO-DIMM mit 2 GByte
DDR2-SO-DIMM mit 2 GByte
Die neuen SO-DIMMs sind bisher nur als Muster zum Stückpreis von 1.700,- Dollar verfügbar, wann sie in Serie gehen sollten, teilte Infineon noch nicht mit. Bei dem Modul werden pro BGA-Gehäuse zwei 1-GBit-Bausteine zusammengefasst. Acht dieser BGAs ergeben dann insgesamt 2 GByte Kapazität. Das Modul ist dabei nur 30 Millimeter hoch, mit 3,8 Millimetern aber etwas dicker als herkömmliche SO-DIMMs. In üblichen Notebooks mit zwei Steckplätzen lassen sich somit bald auch 4 GByte DDR2-Speicher unterbringen.

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DDR2-Micro-DIMM mit 1 GByte
DDR2-Micro-DIMM mit 1 GByte
Wesentlich kleiner als ein SO-DIMM ist das neue "Micro-DIMM" mit 1 GByte von Infineon. Micro-DIMMs entsprechen einem JEDEC-Standard, werden bisher aber nur bei einigen wenigen Subnotebooks eingesetzt. Sie belegen nur 65 Prozent der Fläche eines SO-DIMMs. Zu einem ungenannten Preis sind jetzt Muster des ersten Micro-DIMMs mit 1 GByte DDR2-Speicher (als DDR2-400 und DDR2-533) von Infineon verfügbar, die Markteinführung steht ebenfalls noch nicht fest.

Auch für Highend-Grafikkarten hat Infineon einen neuen Speicherchip entwickelt. Bisher dominiert hier Samsung. Der neue GDDR3-Baustein von Infineon soll das ändern. Er arbeitet bei effektiv 800 MHz (physikalisch 400 MHz) und fasst 512 MBit. Aus acht dieser Bausteine lässt sich somit eine Grafikkarte mit 512 MByte bauen, wie sie Nvidia und ATI bereits in ersten Mustern gezeigt hatten. Bereits seit Februar 2005 liefert Infineon Muster des neuen Chips aus, die Massenfertigung ist für die zweite Hälfte des Jahres 2005 geplant. [von Nico Ernst]

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