Intel und QinetiQ entwickeln Quanten-Schacht-Transistor
Basierend auf einem neuen Transistor-Material namens Indium-Antimonid (InSb) sollen die "Quanten-Schacht-Transistoren" schnelle Schaltzeiten bei geringem Stromverbrauch aufweisen. Die Quantenwellen-Transistoren sollen mit einem Zehntel des Stromverbrauchs im Vergleich zu herkömmlichen Transistoren auskommen bzw. eine dreifach höhere Leistung bieten.
Details zu der Technik wurden im Papier unter dem Titel Novel InSb based Quantum Well Transistors for Ultra-High-Speed, Low Power Logic Applications(öffnet im neuen Fenster) veröffentlicht.