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Schneller Flash-Speicherchip mit 1 GByte

Chip von Toshiba und SanDisk speichert zwei Bit pro Zelle

Toshiba und SanDisk haben gemeinsam einen NAND-Flash-Speicherchip in 70-Nanometer-Technik mit einer Speicherkapazität von 8 GBit entwickelt. Damit lässt sich auf einem solchen Chip eine Datenmenge von 1 GByte unterbringen. Vorgestellt wurde der Chip auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco.

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Der NAND-Chip nutzt eine Multi-Level-Zellen-Technik, mit der zwei Daten-Bit in einer Zelle untergebracht werden können, so dass sich die Speicherkapazität verdoppelt. Mit Hilfe moderner Design-Techniken konnte zudem das Chip-Layout effizienter gestaltet werden, so dass ein 8-GBit-Chip entstand, der gerade einmal fünf Prozent größer ist als die vorhergehende Generation von 4-GBit-Chips in 90-Nanometer-Technik.

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Der 8-GBit-Chip misst dabei 146 Quadratmillimeter, auf dem 3 Milliarden Transistoren pro Quadratzentimeter untergebracht sind.

Durch den Einsatz schneller Schreib-Schaltkreise soll zudem die Schreibgeschwindigkeit der Chips deutlich auf 6 MByte/s gesteigert worden sein. Auch das Auslesen der Daten geht deutlich schneller, hier sollen Datentransferraten von 60 MByte/s erreicht werden, 40 Prozent schneller als bei der vorhergehenden Generation. Möglich ist dies laut Toshiba und SanDisk durch die Kombination des Burst-Mode mit hohen Lese-Bandbreiten.

Noch im Sommer 2005 wollen Toshiba und SanDisk mit der Produktion von Flash-Speicherprodukten auf Basis des neuen 8-GBit-Chips beginnen. 2006 wollen die Unternehmen die meisten Produkte auf Basis dieses Chips herstellen und versprechen sich davon deutliche Kostensenkungen. Zudem planen die beiden Unternehmen, einen 16-GBit-NAND-Chip anzubieten, der aus zwei 8-Bit-Chips in einem Gehäuse besteht.



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