Durchbruch bei transparenten Transistoren?
Die neue Klasse von Dünnfilm-Materialien, die als amorphe Schwermetall-Kation-Multikomponenten-Oxide bezeichnet werden, sollen einen Durchbruch im Bereich der "Transparenten Elektronik" darstellen. Die Transistoren sind nicht nur durchsichtig, sondern funktionieren den Forschen zufolge sehr gut und könnten weitere Vorteile aufweisen, durch die sie kohlenstoffbasierten Transistor-Materialien überlegen sind.
Gegenüber organischen oder Polymer-Transistoren sollen sich die neuen anorganischen Oxide durch höhere Mobilität, eine bessere chemische Stabilität, hohe physische Robustheit und einfache Herstellbarkeit auszeichnen. Damit seien sie den organischen bzw. Polymer-Transistoren deutlich voraus, obwohl an diesen schon seit Jahren geforscht wird, meint John Wager, Professor an der Oregon State University (OSU).
Dabei komme es mitunter gar nicht auf die Transparenz an, vielmehr handle es sich um eine bessere Art von Transistoren, die sich billig und einfach herstellen lassen.
Bei den jetzt hergestellten Strukturen handelt es sich um Zink-Zinn-Oxid-Transistoren, eine Weiterentwicklung der an der OSU entwickelten, transparenten Zink-Oxid-Transistoren. Die neuen Transistoren sollen deutlich schneller sein als die bisherigen transparenten Transistoren. Die Herstellung der Transistoren aus dem neuen Material soll bei Raumtemperatur möglich sein.
Den Forschern zufolge sind Transistoren aus dem neuen Material zwar keine Konkurrenz zu siliziumbasierten Produkten, die heute die Grundlage der Computerindustrie sind, die neuen können aber ihren Weg in spezielle Elektronikprodukte finden, die so heute noch nicht existieren.
HP sieht vor allem Anwendungsmöglichkeiten in den Bereichen Imaging und Druck. Dank der Transparenz sollen sich damit aber auch LCDs verbessern lassen. Ebenfalls sind der Einsatz in durchsichtigen Displays im Auto oder eine militärische Nutzung möglich Einsatzgebiete.



