Infineon speichert 1 Bit mit 100 Elektronen
Neben den Prozessoren und DRAMs stehen auch die Flash-Speicher derzeit unter einem erheblichen Innovationsdruck. Der Bedarf für die nichtflüchtigen Speicher ist durch den Boom bei Digitalkamers, Handys und anderen Consumer-Produkten geradezu explodiert. Es gilt also, auch hier die Strukturen zu verkleinern, um mehr Daten auf weniger Raum speichern zu können. Wenn Infineons neue Erfindung in Serie gehen kann, lassen sich laut den Münchnern "in wenigen Jahren" Flash-Chips mit 32 GBit herstellen – dem Achtfachen der heutigen Dichte.
Für die neue Flash-Zelle hat Infineon das Konzept "FinFET" eingesetzt. Dabei wird der Speicher nicht in das Silizium gegraben, sondern dreidimensional in Form einer Finne angeordnet. Das Verfahren war 1999 von der Universität in Berkeley entwickelt und mit Absicht nicht patentiert worden, damit die Idee sich schnell verbreitet.
Mit seiner Finne will Infineon die Ladung mit nur 100 Elektronen gespeichert haben. Aktuelle Serien-Chips brauchen dafür zehn Mal so viele Ladungsträger. Die 100 Elektronen entsprechen im Vergleich der Anzahl eines einzelnen Goldatoms.
Wann das Verfahren in Serie gehen kann, ist fraglich. Besonders die Lithographie für solch feine Strukturen (die Finne ist nur acht Nanometer breit) steckt noch in den Kinderschuhen. Solche im Wortsinne von Hand gebauten Strukturen sind dennoch wichtig, um die elektrischen Eigenschaften bei nur wenige Atomlagen dicken Materialien zu erforschen. Infineon geht davon aus, dass die FinFET-Zelle ihre Ladung über Jahre halten kann. [von Nico Ernst]