Infineon zeigt DRAM-Prozess für 70 Nanometer

Kleinere Kondensatoren sollen Strukturbreite verkleinern, Ausbeute erhöhen

Beim IEDM-Kongress hat Infineon erstmals seinen Fertigungsprozess für DRAMs mit 70 Nanometern Strukturbreite offen gelegt. Das Unternehmen bleibt weiterhin bei Trench-Kondensatoren, die aber in Zukunft deutlich mehr Ladung halten können sollen.

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Ein DRAM-Baustein, der unter anderem in PCs als Arbeitsspeicher zum Einsatz kommt, ist im Endeffekt nichts weiter als eine Gatter-Anordnung von zahlreichen Kondensatoren. Jeder soll seine Ladung möglichst lange halten können, um die zeit- und stromraubenden Refresh-Zyklen zu minimieren.

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Auf einem Silizium-Halbleiter werden diese Kondensatoren vor allem in zwei Bauformen hergestellt. Infineon bevorzugt den "Trench-Kondensator" (trench, engl. "Graben"), bei dem ein Kanal in das Silizium gebracht wird, der dann den Ladungstunnel des Kondensators darstellt. Andere Hersteller wie Samsung bevorzugen die "Stacked"-Bauweise, bei welcher der Kondensator vertikal auf dem Silizium konstruiert wird.

Bei immer kleineren Strukturbreiten wird auch bei DRAMs die Isolierung durch einen Nichtleiter, das Dielektrikum, kritisch. Intel hatte ja mit seinen 90-nm-Prozessoren massive Probleme durch Leckströme und konnte den Stromhunger des Prescott-Kerns erst im aktuellen E0-Stepping um bis zu 20 Prozent reduzieren. Bei DRAMs ist der Innovationsdruck noch höher, da immer mehr Zellen auf weniger Raum bei nach Möglichkeit sinkenden Kosten gefordert sind. Der Preisdruck auf dem Speichermarkt ist enorm und führte schon zu

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