IBM stellt kleinste SRAM-Speicherzelle vor
Die neue SRAM-Zelle reduziert den Platz für den Speicher auf einem Chip, so dass mehr Speicherkapazität auf der Chip-Fläche zur Verfügung steht oder sich die Chip-Größe verringern lässt. Entsprechende Speicherzellen werden in Prozessoren in zunehmendem Maße eingesetzt, sind aber vor allem durch den zur Verfügung stehenden Platz auf dem Chip begrenzt.
Laut IBM ist die SRAM-Zelle, die auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco vorgestellt werden soll, nur halb so groß wie die bislang kleinste experimentelle Zelle. Möglich sei dies vor allem durch ein optimiertes Zellen- und Schaltkreis-Design sowie neue Herstellungsprozesse, insbesondere eine Mischung aus Elektronenstrahl- und optischer Lithographie.
Eingesetzt in Chips soll die neue SRAM-Zelle Speicherkapazitäten von mehreren Gigabit auf dem Chip ermöglichen, zehnmal mehr als derzeit zum Einsatz kommt.



