Intels 65-Nanometer-Prozessoren schon 2005
Die Transistoren in den neuen 65-Nanometer-Chips weisen Gate-Längen von 35 Nanometer auf, die damit rund 30 Prozent kleiner sind als in Intels aktuellen 90-Nanometer-Chips. Mit den kleineren Strukturen will Intel den Weg für CPUs mit mehreren Prozessor-Kernen ebnen. Zudem soll der neue Herstellungsprozess einige Verbesserungen bringen, die höhere Leistung und geringeren Stromverbrauch versprechen.
Im November 2003 hat Intel bereits einen ersten SRAM-Chip mit 4 MBit in einem 65-Nanomenter-Prozess gefertigt. Der jetzt produzierte 70-MBit-Baustein stellt eine entsprechende Weiterentwicklung dar und passt auf ein Die von gerade einmal 110 Quadratmillimetern. SRAM-Zellen kommen als Cache integriert in Prozessoren zum Einsatz.
Dabei setzt Intel wie schon bei seinen 90-Nanometer-Chips "Strained Silicon" in einer weiterentwickelten Form ein. Diese zweite Generation von Intels Strained Silicon soll die Leistung der Transistoren um 10 bis 15 Prozent steigern, ohne dass höhere Leckströme entstehen. Zudem kommen acht Kupferschichten zur Verbindung sowie Low-k-Materialien zum Einsatz.
Auch integrierte Intel so genannte "schlafende Transistoren" in die 65-Nanometer-Chips. Diese können ganze Transistorbereiche im Chip abschalten, wenn diese nicht genutzt werden. Damit will Intel den Stromverbrauch der Chips deutlich senken.
Prozessoren auf Basis der 65-Nanometer-Technik will Intel bereits 2005 ausliefern.