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Erster 16-MBit-MRAM-Prototyp - auf dem Weg zum besseren PC?

Infineon und IBM entwickeln Magnetic-RAM weiter

Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon hat auf dem VLSI Symposium in Hawaii gemeinsam mit IBM den ersten 16-MBit-Magnetoresistive-RAM-Prototypen (MRAM) vorgestellt. MRAM-Chips speichern die Informationen mit einer magnetischen Ladung und nicht mehr - wie herkömmliche Speicherchips - in elektrischen Ladungen.

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Die hohe Speicherkapazität des 16-MBit-Chips (2 MByte) wurde durch die Verwendung von 1,4 Quadratmikrometer kleinen Zellen erreicht, die jeweils 16 Millionen Einzelzellen entsprechen. Die Ankündigung des ersten 16-Megabit-MRAM-Speicher-Prototypen ist laut Infineon ein bedeutender Durchbruch in der MRAM-Entwicklung. Angesichts der laut Infineon "immensen Vorteile" habe MRAM aus heutiger Sicht das Potenzial, in einigen Jahren in vielen Speicher-Applikationen zum Einsatz zu kommen.

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Während die Arbeitsspeicher von Computern bislang ständig unter Strom gehalten werden müssen, bleiben die Informationen auf MRAM-Speichern auch nach dem Ausschalten erhalten, vergleichbar mit der Festplatte eines Rechners. Zudem sind sie laut Infineon sehr schnell und sollen entsprechend einen nahezu unmittelbaren Zugriff auf das Speichermedium erlauben. Im Vergleich mit den bisher in USB-Sticks, Pocket-Computern oder Digitalkameras verwendeten, nicht flüchtigen Flash-Speichern soll der 16-MBit-MRAM-Chip von Infineon etwa 1.000-mal schneller sein - genaue Daten veröffentlichte Infineon nicht. Überdies könne man in einer MRAM-Speicherzelle bis zu 1 Million Mal öfter Informationen speichern als bei Flash-Bausteinen.

Beim Einsatz in Computern könnte MRAM das Betriebssystem und geladene Programme auch nach dem Ausschalten im Speicher halten, beim Starten würde sich so die Ladezeit verkürzen, während beim Aktivieren des Ruhezustandes etwa auf dem Notebook nicht erst der Speicher auf die Festplatte gesichert werden müsste. Da der Speicher den momentanen Stand der Arbeit automatisch behält, wäre die Rechnernutzung zudem deutlich bequemer und die Batterielaufzeit in mobilen Geräten wie Notebook und Handy länger, da die MRAM-Chips dank ihrer nichtflüchtigen Datenspeicherung weniger Strom verbrauchen als herkömmliche DRAMs.

Infineon zufolge haben MRAM-Chips auf lange Sicht damit wohl auch die Möglichkeit, die Computer-Architektur zu verändern, die seit den Kindertagen der schnellen Rechner vor allem durch die Aufgabenteilung zwischen dem schnellen, aber flüchtigen Arbeitsspeicher und dem langsamen, aber dauerhaften Massenspeicher geprägt ist.

Seit dem Jahr 2000 entwickelt Infineon die MRAM-Chips in Kooperation mit IBM. Die Technologie wurde vor kurzem an Altis, ein Joint Venture der beiden Unternehmen in Frankreich, transferiert. Die beiden Partner sind allerdings nicht die einzigen, die MRAMs entwickeln, auch Motorola, NEC und Samsung sind beispielsweise dabei.



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Axel G. 20. Jul 2006

schnelle Flash-Speicherkarten könnnen schon bis zu 20MByte/s Ein 3 mal schnelleres MRAM...

Falcon 14. Jul 2004

Hallo, weiß jemand welche Magnetwiderstandseffekt bei diesen Chips zu Einsatz kommen...

Sebastian Will 24. Jun 2004

Gut, daß du nach etlichen Stunden _noch_ eine Erklärung lieferst. Kriegst auch ein...

Miefi 23. Jun 2004

Ich glaube, dass Ibee sich eher auf die Trennung flüchtiger / nicht flüchtiger Speicher...

alecs 23. Jun 2004

Meines Erachtens gibt es nur elektrische Ladung. Bei der Entstehung eines Magnetfelds...


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