Toshiba und SanDisk bauen neue NAND-Flash-Speicherfabrik

300-mm-Wafer-Fabrik auf dem Yokkaichi-Werksgelände. Toshiba und SanDisk haben mitgeteilt, dass man den Bau einer neuen 300-mm-Wafer-Fabrik auf Toshibas Yokkaichi-Werksgelände plane, um der wachsenden Nachfrage nach NAND-Flash-Speicherchips zu begegnen. Dadurch werde die Massenproduktion im neuen Werk bereits in der zweiten Hälfte des Toshiba-Geschäftsjahres 2005 starten und nicht erst, wie ursprünglich geplant, im Geschäftsjahr 2006, wie Toshiba im Dezember vergangenen Jahres bekannt gegeben hatte. Toshiba plant zurzeit, mit dem Bau der Werkshalle in der ersten Hälfte des Geschäftsjahres 2004 zu beginnen.

15. Dezember 2003 um 09:21 Uhr / Andreas Donath

Nichtflüchtiger NAND-Flashspeicher ist das bevorzugte Speichermedium in diversen Mobilgeräten wie zum Beispiel digitalen Fotokameras und Multimedia-Mobiltelefonen. Die Gesamtinvestition in die neue Fabrik (Fab 3) auf Toshibas Yokkaichi-Werksgelände wird zurzeit auf 200 Milliarden Yen (entsprechend ca. 1,9 Milliarden US-Dollar zum momentanen Wechselkurs) für den Zeitraum bis zum Ende des Geschäftsjahres 2005 geschätzt.

Toshiba trägt die Kosten für den Bau der Werkshalle, Toshiba und SanDisk übernehmen gemeinsam die Kosten für das Fertigungsequipment. Die fertige Fabrik wird von FlashVision, einem Joint-Venture-Unternehmen von Toshiba und SanDisk, zur Herstellung von NAND-Flashspeichern geführt werden. Die beiden Unternehmen wollen in Kürze Verhandlungen zum Abschluss eines Kooperationsabkommens für Fab 3 auf dem Yokkaichi-Werksgelände von Toshiba aufnehmen.

Nach der Inbetriebnahme der 300-mm-Fabrik in der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2005 wird zunächst mit einer Produktion von 10.000 Wafern pro Monat gerechnet. Dabei soll ein 70-Nanometer-Verfahren zum Einsatz kommen, das zurzeit gerade in Gemeinschaftsarbeit von Toshiba und SanDisk entwickelt wird. Es wird erwartet, dass die Produktionsmenge von der Mindestanzahl von 10.000 Wafern pro Monat ausgehend durch eine Steigerung der Waferproduktion und den Wechsel zu einem noch fortschrittlicheren 55-nm-Verfahren in den kommenden Jahren steigen wird.