Texas Instruments will Chip-Leistung um 50 Prozent steigern
Einsatz neuer Fertigungstechniken beim Umstieg auf 90-Nanometer-Prozess. Texas Instruments will mit einigen neuen Techniken, einschließlich "Strained Silicon", deutlich schnellere Transistoren fertigen können. Eine um rund 50 Prozent höhere Leistung sollen konventionelle, planare CMOS-Transistoren so erreichen können.
Mit dem Umstieg auf einen 90-Nanometer-Herstellungsprozess erwartet Texas Instruments eine deutliche Steigerung der Chip-Leistung gegenüber den bislang schnellsten 130-Nanometer-Transistoren. Dabei baut Texas Instruments die CMOS-Logik in 37 Nanometer Gatterlänge.
Neben "Strained Silicon" setzt Texas Instruments auch auf neue dielektrische Materialien mit 2,9 k (OSG) statt wie bisher 3,6 k (FSG) zur Isolierung der Leiterbahnen.
Erster Nutznießer der neuen Technologie wird Sun Microsystems sein, die von Texas Instruments ihre UltraSPARC-Prozessoren künftig in einem entsprechenden 90-Nanometer-Prozess fertigen lassen.