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Texas Instruments will Chip-Leistung um 50 Prozent steigern

Einsatz neuer Fertigungstechniken beim Umstieg auf 90-Nanometer-Prozess

Texas Instruments will mit einigen neuen Techniken, einschließlich "Strained Silicon", deutlich schnellere Transistoren fertigen können. Eine um rund 50 Prozent höhere Leistung sollen konventionelle, planare CMOS-Transistoren so erreichen können.

Artikel veröffentlicht am ,

Mit dem Umstieg auf einen 90-Nanometer-Herstellungsprozess erwartet Texas Instruments eine deutliche Steigerung der Chip-Leistung gegenüber den bislang schnellsten 130-Nanometer-Transistoren. Dabei baut Texas Instruments die CMOS-Logik in 37 Nanometer Gatterlänge.

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Neben "Strained Silicon" setzt Texas Instruments auch auf neue dielektrische Materialien mit 2,9 k (OSG) statt wie bisher 3,6 k (FSG) zur Isolierung der Leiterbahnen.

Erster Nutznießer der neuen Technologie wird Sun Microsystems sein, die von Texas Instruments ihre UltraSPARC-Prozessoren künftig in einem entsprechenden 90-Nanometer-Prozess fertigen lassen.

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brille.exe 13. Okt 2003

hier geht es nicht (nur) um PC prozessoren so wie du sie eventuell kennst. Hier geht es...

Dalai-Lama 13. Okt 2003

Hmm, AMD und Intel steigen doch auch um. Was soll dadran so besonders sein ?

hasenfuß 13. Okt 2003

hehe, den kommetar "ich will auch viel" hatte ich auch schon auf den lippen/tasten. :)

Frank 13. Okt 2003

Sorry kann mir einen Kommentar nicht verkneifen: Die Überschrift ist lustig... "Texas...


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