IBM: Chips mit bis zu 80 Prozent weniger Strombedarf

SiGE-Bipolar-Transistoren unter Verwendung eines SOI-Wafers entwickelt

IBM kündigte ein neues Chip-Design für künftige drahtlose Geräte an. Damit sollen künftige Chips eine viermal höhere Leistung bieten, dabei aber rund 80 Prozent weniger Strom verbrauchen als aktuelle Chip-Designs. Das heute vorgestellte neue Chip-Design nutzt dabei einen neuen Silizium-Wafer, der dünn genug ist, um die Leistung sowohl der Computing- als auch der Kommunikationskomponenten zu maximieren.

Artikel veröffentlicht am 30. September 2003, 9:31 Uhr, Andreas Donath

Während heutige CMOS-Chips (Complementary Metal Oxide Semiconductor) die Grundlage für Computing-Anwendungen sind und SiGE-Bipolar-Chips (Silizium-Germanium) Radiofrequenz-Kommunikation und analoge Funktionen bereitstellen, sollen in Zukunft SiGe-BiCMOS-Chips beide in drahtlosen Geräten ersetzen. Dabei werden die Computing- und Kommunikationstransistoren auf einem Chip platziert, während bisherige Lösungen separate Chips für die beiden verschiedenen Anwendungsbereiche benötigen.

CMOS-Computerchips zeigen eine höhere Leistung, wenn sie auf einem dünnen Silicon-on-insulator-Wafer (SOI) produziert werden. Traditionelle SiGE-Bipolar-Transistoren können jedoch nicht auf einem solchen SOI-Wafer erzeugt werden. Bisher sei es daher nicht möglich, eine Technik bereitzustellen, die die beiden Typen auf einem Wafer kombiniert und die Leistung beider Typen maximiert.

IBM: SiGE-Bipolar-Transistor unter Verwendung eines SOI-Wafers

IBM ist es nach eigenen Angaben jetzt als erstem Hersteller gelungen, SiGE-Bipolar-Transistoren unter Verwendung eines SOI-Wafers zu erzeugen. Das Unternehmen geht davon aus, dass das neue Chip-Design innerhalb der nächsten fünf Jahre eingeführt werden könnte.

Details des jetzt vorgestellten Chip-Designs sollen auf dem 2003 Bipolar/BiCMOS Circuit and Technology Meeting in Toulouse (Frankreich) präsentiert werden.