IBM: Neue Transistor-Technologien sollen Chips beschleunigen

Neue Technologien sollen Schaltgeschwindigkeit fast verdoppeln

IBM meldet einmal mehr Fortschritte im Bereich der Transistorforschung, die zu leistungsfähigeren Chips mit geringerem Stromverbrauch führen sollen. IBM verspricht insgesamt Leistungssteigerungen der Transistoren von bis zu 90 Prozent und eine recht einfache Integration in aktuelle Herstellungsprozesse.

Artikel veröffentlicht am 9. September 2003, 9:57 Uhr, Jens Ihlenfeld

So konnten IBM-Forscher erstmals einen Transistor mit einer "Strained Silicon Directly on Insulator" (SSDOI) genannten Technologie entwickeln, die hohe Leistung erlauben und dabei Herstellungsproblem umgehen soll.

Transistor mit Strained Silizium direkt auf dem Isolator

Strained Silicon soll die Elektronenmobilität erhöhen, indem die obere Silizium-Schicht mit einer darunter liegenden Schicht von Silizium-Germanium (SiGe) gestreckt wird. Damit soll eine Steigerung der Schaltgeschwindigkeit von 20 bis 30 Prozent erreicht werden, so IBM. Allerdings führt diese SiGE-Schicht zu Problemen beim Material und der Prozessintegration, die IBM nun mit extrem dünnen SSDOI-Strukturen in den Griff bekommen haben will.

Zudem will IBM die Leistung der Chips durch die Erhöhung der Mobilität positiver Ladungen steigern. Man sei in der Lage, diese um den Faktor 2,5 zu steigern, was zu einer Leistungssteigerung von 40 bis 65 Prozent führen soll.

Laut AMD sollen die beiden Techniken recht einfach in aktuelle Standard-Wafer-Prozesse zu integrieren sein; konkrete Termine, wann die neuen Technologien in der Serienfertigung eingesetzt werden können, nannte IBM aber nicht.