IBM und Infineon entwickeln MRAM mit höherer Speicherdichte

Neue Technologie soll die Markteinführung von MRAM beschleunigen. IBM und Infineon haben nach eigenen Angaben zusammen die bislang fortschrittlichste MRAM-(Magnetic-Random-Access-Memory-)Technologie entwickelt, bei der magnetische Speicherelemente in einen leistungsfähigen Logik-Prozess integriert wurden. Die heute vorgestellte Technologie könnte den Unternehmen zufolge zur beschleunigten Markteinführung von MRAMs beitragen.

10. Juni 2003 um 09:40 Uhr / Jens Ihlenfeld

Auf dem in dieser Woche in Kyoto stattfindenden VLSI Symposium präsentierten IBM und Infineon ihren schnellen 128-KBit-MRAM-Core. Der Chip wurde mit einem 0,18-µm-Logikprozess gefertigt, den für MRAM-Technologie bislang kleinsten bekannten Strukturen. Damit sei es möglich gewesen, eine extrem kleine MRAM-Speicherzelle von nur 1,4 Quadrat-Mikrometer zu erzeugen.

Da MRAM Informationen nicht in Form von elektrischen, sondern magnetischen Ladungselementen speichert, ist es vor allem für mobile Geräte geeignet, die mehr Informationen bei schnellerem Zugriff und weniger Leistungsaufnahme speichern sollen. Dabei vereinen MRAMs die Vorteile von heute eingesetzten Speichern wie die Speicherkapazität und die niedrigen Kosten von DRAMs, die hohe Geschwindigkeit von SRAMs und die Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern. Da MRAMs die gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten der Versorgungsspannung behalten, könnten Produkte wie PCs sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sein, ohne auf das Booten durch Software warten zu müssen.