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AMD meldet Durchbruch bei Transistor-Technologien

Neue Technologien sollen deutlich höhere Performance bei Transistoren erlauben

AMD-Forscher haben nach eigenen Angaben einen Durchbruch auf dem Weg zur Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation erzielt. Dabei habe man einen Transistor entwickelt, der rund 30 Prozent schneller ist als der bislang schnellste PMOS-(P-channel-Metal-Oxide-Semiconductor-)Transistor heute.

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Dabei kommt laut AMD eine selbstentwickelte Technologie zum Einsatz, die man als "Fully Depleted Silicon-on-Insulator" bezeichnet. Zudem haben AMD-Forscher einen auf Strained Silizium basierenden Transistor entwickelt, der dank des Einsatzes von Metall-Gattern eine rund 20 bis 25 Prozent höhere Leistung bieten soll als konventionelle Transistoren auf Basis von Strained Silizium.

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AMD sieht diese Entwicklungen als Schlüsselbausteine, um die geplante Prozessor-Roadmap zu realisieren. Allerdings geht man bei AMD davon aus, dass diese Technologien erst in der zweiten Hälfte dieses Jahrzehnts eine wichtige Rolle spielen werden.

Details zu den Entwicklungen will AMD auf dem VLSI Symposium vom 11. bis zum 12 Juni in Kyoto (Japan) vorstellen.



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Marc 16. Jul 2003

Reg dich ab... der 1. Post war von Plex..und nicht wirklich ernst gemeint... anscheinend...

Intel user 16. Jul 2003

Ihr dummen vögel da kann man mal sehen, was ihr für ne ahnung habt. Ich dachte AMD...

krafte 03. Apr 2003

Seit wann stellt M$ prozessoren her !?

Ganse 02. Apr 2003

voraus kann man so schlecht sagen, jeder prozessor hat bestimmte anwendungsgebiete für...

SChleichfahrer 02. Apr 2003

Ja klar der P4 war jeden Athlon voraus in der Technik und Geschwindigkeit ha ha ha man...


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