AMD meldet Durchbruch bei Transistor-Technologien

Neue Technologien sollen deutlich höhere Performance bei Transistoren erlauben. AMD-Forscher haben nach eigenen Angaben einen Durchbruch auf dem Weg zur Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation erzielt. Dabei habe man einen Transistor entwickelt, der rund 30 Prozent schneller ist als der bislang schnellste PMOS-(P-channel-Metal-Oxide-Semiconductor-)Transistor heute.

2. April 2003 um 09:40 Uhr / Jens Ihlenfeld

Dabei kommt laut AMD eine selbstentwickelte Technologie zum Einsatz, die man als "Fully Depleted Silicon-on-Insulator" bezeichnet. Zudem haben AMD-Forscher einen auf Strained Silizium basierenden Transistor entwickelt, der dank des Einsatzes von Metall-Gattern eine rund 20 bis 25 Prozent höhere Leistung bieten soll als konventionelle Transistoren auf Basis von Strained Silizium.

AMD sieht diese Entwicklungen als Schlüsselbausteine, um die geplante Prozessor-Roadmap zu realisieren. Allerdings geht man bei AMD davon aus, dass diese Technologien erst in der zweiten Hälfte dieses Jahrzehnts eine wichtige Rolle spielen werden.

Details zu den Entwicklungen will AMD auf dem VLSI Symposium vom 11. bis zum 12 Juni in Kyoto (Japan) vorstellen.