NEC entwickelt 512 Kilobit MRAM

Nichtflüchtiger Speicher für mobile Systeme

NEC hat für die International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2003 einen 512-Kilobit-Cross-Point-Magnetoresistive- Random-Access-Memory-(MRAM-)Baustein angekündigt.

MRAM wird vornehmlich für digitale mobile Endgeräte wie Handys, Laptops und ähnliche Geräte verwendet werden, da er nichtflüchtig ist und wenig Strom verbraucht und besonders hoch verdichtet ist.

Das NEC MRAM wird im 0,25-Micron-CMOS und 0,6-Micron-MRAM-Prozess hergestellt. MRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der magnetische Elemente anstelle von elektrischen verwendet, um Informationen zu speichern. MRAM wird als Nachfolger von DRAM in Embedded Systems gehandelt. Die NEC MRAMs sollen nur ein Zehntel des Strombedarfs von Flash-Speicher benötigen und kann problemlos immer wieder neu beschrieben werden, während Flash-Speicher "nur" eine Million Mal neu beschrieben werden kann.

Im September 2002 hatte NEC zusammen mit Toshiba die Entwicklung von MRAM zusammengelegt.