AMD und IBM entwickeln gemeinsam
Der neue von AMD und IBM gemeinsam zu entwickelnde Prozess soll vor allem die Performance von Mikroprozessoren verbessern und den Stromverbrauch der Chips senken. Als Basis sollen Technologien wie "High-Speed Silicon-on-Insulator"-(SOI-)Transistoren, Kupfer-Verbindungen und eine verbesserte "Low-K dielektrische Isolation" dienen.
Das Abkommen umfasst die Zusammenarbeit bei 65- und 45-nm-Technologien auf 300-mm-Silizium-Wafern.
"Wir wollen im vierten Quartal 2003 unsere 90-nm-Lösungen in die Produktion einführen und verstärken daher unsere Entwicklungsanstrengungen bei Prozesstechnologien für unsere nächste Prozessorgeneration mit 65 nm und weniger", so Bill Siegle, Senior Vice Präsident für Technologie-Operationen und Chief Scientist bei AMD.
Die entwickelten Technologien sollen in den Chip-Fabriken beider Unternehmen zum Einsatz kommen und auch von dritten Herstellungspartnern genutzt werden können. Erste Produkte auf Basis der neuen 65-nm-Technologie sollen im Jahr 2005 auf dem Markt auftauchen. Die Entwicklung soll ab 30. Januar in IBMs Labors in East Fishkill (New York) beginnen.
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