AMD meldet Durchbruch bei der Transistorforschung

Neue Erkenntnisse sollen das Fundament für zukünftige Produkte bilden. AMD will auf dem diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM) eine Reihe neuer technischer Errungenschaften präsentieren, die für die Herstellung von Transistoren und Speicherzellen der nächsten Generation von Bedeutung sind. Das IEDM findet vom 8. bis 11. Dezember in San Francisco statt. Erste Aspekte dieser Forschungen könnten sich frühestens 2005 in Produkten niederschlagen.

10. Dezember 2002 um 09:43 Uhr / Jens Ihlenfeld

So will AMD Ergebnisse seiner gemeinsamen Forschung mit der University of California in Berkeley zu einem neuen Transistor-Typ vorstellen, der die heutigen planaren Transistoren in künftigen Logik-Chips ersetzen soll. Dabei setzt AMD auf einen Fin Field Effect Transistor (FinFET), der durch eine dünne vertikale "Silizium-Flosse" hilft, den Stromfluss durch den Transistor zu kontrollieren. Bereits im September hatte AMD den ersten funktionierenden FinFET mit einer Gate-Länge von 10 nm demonstriert.

Zudem will AMD zwei Arbeitspapiere zur Herstellung von Gates aus Metall statt des bisher üblichen Polysiliziums veröffentlichen. Diese Technologie soll die Transistor-Performance erhöhen und bereits 2005 zum Einsatz kommen.

Zusammen mit der Stanford University will AMD ein Arbeitspapier vorstellen, dass eine neue Struktur für Flash-Speicherzellen beschreibt. Damit soll es möglich werden, Flash-Speicher unter die 65-Nanometer-Grenze zu drücken. "AMDs Forschung auf dem Gebiet der Entwicklung von Transistoren und Speicherzellen der nächsten Generation ist bereits sehr weit fortgeschritten. Einmal perfektioniert, werden die Ergebnisse dieser Entwicklungsanstrengungen die Produkte unserer Kunden in nie zuvor erreichte Leistungsdimensionen befördern" , so Craig Sander, Vice President of Process Technology Development bei AMD.