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DRAM-Kooperation von Infineon und Nanya perfekt

Joint Venture gegründet und gemeinsame Technologieentwicklung vereinbart

Infineon Technologies und die taiwanesische Nanya Technology Corporation haben endgültige Verträge über die strategische Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Damit wollen die beiden Partner ihre Marktposition für Speicherchips ausbauen und die Entwicklungskosten teilen.

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Der Vertrag sieht vor, die kommenden 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln. Im Rahmen des Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint-Venture für die Fertigung von DRAM-Chips gegründet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan. In diesem soll dann auch die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik eingesetzt werden. Die maximale Kapazität der Produktion soll im Endausbau monatlich bis zu 50.000 Waferstarts betragen, wobei die ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 gefertigt werden sollen.

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Das neue 300-mm-Halbleiterwerk wird - abhängig von dem Wachstum und der Entwicklung des weltweiten Halbleitermarktes - in zwei Stufen errichtet. Im zweiten Halbjahr 2004 soll das Werk in der ersten Ausbaustufe zunächst eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen und bis Mitte 2006 soll die Produktion in der zweiten Ausbaustufe auf eine Kapazität von rund 50.000 Waferstarts pro Monat erweitert werden. Damit sei das neue Halbleiterwerk eines der größten der Welt.

Das Investitionsvolumen für die nächsten drei Jahre beträgt insgesamt rund 2,2 Milliarden Euro. Für die gesamten Investitionen in die innovative Speicherfertigung werden Infineon und Nanya bis 2005 jeweils 550 Millionen Euro einbringen, wobei der Hauptteil zum Hochlauf der Fertigung im Jahr 2004 und 2005 anfällt.

Bei maximaler Auslastung des Werks werden bis zu 1.300 Arbeitsplätze in Taiwan geschaffen. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen (Taiwan) in der Nähe der jetzigen Fertigung von Nanya sein. Vorbehaltlich der Zustimmung durch die Kartellbehörden wird das Gemeinschaftsunternehmen zum 2. Dezember 2002 seine Geschäftstätigkeit aufnehmen.

Die am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickelte neue Fertigungstechnik wird in den beiden Unternehmen und auch im neuen Joint Venture eingesetzt. Weiterhin ist eine gemeinsame Entwicklung von Leitprodukten in 0,09-µm- und 0,07-µm-Technik in München vorgesehen. In die Entwicklungsprojekte bringen Infineon und Nanya zusammen mehr als 120 Mitarbeiter ein. Erste Speicherprodukte auf 300-mm-Wafern und in dem neuen 0,09-µm-Prozess sollen Ende 2003 vom Band laufen. Zudem ist vorgesehen, die 0,09-µm-Fertigungstechnik auch für 200-mm-Wafer einzusetzen.

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