IBM: Neue Technik zur Herstellung von 3D-Chips
Während aktuelle Mikrochips in mehreren zweidimensionalen Schichten gefertigt werden, soll der Vorstoß in die dritte Dimension die Länge der Leitungen, die die Transistoren auf dem Chip verbinden, verkürzen und so die Bandbreite zwischen Logik und Speicher erhöhen. So sollen sich mehr Transistoren auf einem Chip unterbringen lassen, aber auch unterschiedliche Signale, z.B. sowohl elektrische als auch optische, auf verschiedenen Leveln eines Chips verarbeiten lassen.
IBMs neue Technologie zur Herstellung von 3D ICs setzt dabei auf eine Verbindung verschiedener herkömmlich hergestellter Wafer-Schichten, wobei funktionale Schaltkreise von einem Wafer auf einen anderen übertragen und dort elektrisch zu einem 3D-Chip verbunden werden.
Details zu der neuen Technologie will IBM im Papier "Electrical Integrity of State-of-the-Art 0.13 (micro-meter) SOI CMOS Devices and Circuits Transferred for Three-Dimensional (3D) Integrated Circuit (IC) Fabrication" auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco vorstellen, das vom 9. bis 11. Dezember 2002 veranstaltet wird.