Intel stellt neuartige 3D-Transistoren vor

Neues Transistor-Design soll Weg zu TeraHertz-Transistoren ebnen

Intel-Forscher haben ein dreidimensionales "Tri-Gate"-Transistor-Design entwickelt, das höhere Performance bei höherer Energieeffizienz als traditionelle, flache Transistoren bieten soll. Die Entwicklung stelle den ersten Schritt in Richtung einer neuen Ära nicht-planarer 3D-Transistordesigns dar, das es ermöglichen soll, Moores Law auch über die nächsten zehn Jahre aufrechtzuerhalten.

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"Unsere Forschung zeigt, dass unter 30 Nanometern die grundlegenden physikalischen Eigenschaften von flachen Single-Gate-Transistoren zu viel Energie verlieren, um unsere zukünftigen Performance-Ziele zu erreichen", so Dr. Gerald Marcyk, Direktor des "Components Research Lab" bei Intel.

Auf traditionellen planaren Transistoren laufen die elektrischen Signale wie auf einer flachen Einbahnstraße. Dieser Ansatz wurde von der Halbleiterindustrie seit den 60er-Jahren verfolgt. Wenn Transitoren nun aber kleiner als 30 Nanometer sind, sorgt der steigende Verlust an Ladung dafür, dass die Transistoren mehr Energie benötigen, um korrekt zu funktionieren. Dies wiederum führt zu einer höheren, nicht akzeptablen Hitzeentwicklung.

Intels Tri-Gate Transistor setzt nun auf eine neuartige 3D-Struktur wie ein erhöhtes flaches Plateau mit vertikalen Seiten, die es erlauben, die elektrischen Signale entlang der Oberkante des Transistors sowie beiden vertikalen Seitenwänden zu senden. Dies verdreifache die Fläche, auf der die Signale laufen, nahezu. Aus der flachen Einbahnstraße wird ein dreispuriger Highway, so Intel.

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