Intel: Neuer Herstellungsprozess für P4-Nachfolger

Prescott soll in 90-Nanometer-Technologie gefertigt werden

Intel hat jetzt einige neue Technologien angekündigt, die der Chip-Hersteller in seinen 90-Nanometer-(nm-)Herstellungsprozess integrieren will. Ab 2003 will Intel die neue Technologie zur Herstellung von Serienchips auf 300-mm-Wafern nutzen. Der 90-Nanometer-Prozess nutzt Kupferverbindungen und neues Low-K-dielektrisches Material.

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Intels neuer 90-nm-Prozess soll Transistoren mit einer Länge von nur 50 nm (Gatelänge) erlauben, gegenüber 60 nm, wie Intel sie heute beim Pentium 4 erreicht. Dabei sollen die Transistoren Gate-Oxids besitzen, die nur fünf Atomlagen (1,2 nm) dick sind. Zudem setzt Intel neue mit Kohlenstoff dotierte Oxide (CDO) als dielektrisches Material ein.

Intel nutzt den neuen Herstellungsprozess heute schon in seinen Entwicklungs-Fabs. Im nächsten Jahr will der Halbleiterhersteller dann als erster einen 90-nm-Prozess in der Massenfertigung einsetzen. Der erste Chip, der in in dem neuen Prozess hergestellt werden soll, ist Intels Pentium-4-Nachfolger Prescott, der in der zweiten Jahrehälfte 2003 auf den Markt kommen soll.

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