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TI mit rauscharmen SiGe Analog- und Mischsignal-ICs

Erster SiGe-Komplementärprozess in der Industrie

Texas Instruments hat einen neuen komplementären Silizium-Germanium-Fertigungsprozess (SiGe) für Bipolar-CMOS vorgestellt, der im Vergleich zu anderen derzeit verfügbaren Komplementär-Bipolar-Prozessen eine dreimal höhere Geschwindigkeit mit sich bringen soll. Mit dem neuen SiGe-Prozess gelang es, Bipolar-Transistoren des NPN- und PNP-Typs auf einem Schaltkreis zu vereinen. Dieser Fortschritt ermöglicht eine Geschwindigkeitssteigerung um den Faktor drei und eine Reduzierung des Rauschpegels um 50 Prozent für Operationsverstärker und andere Mischsignalprodukte.

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Entwickler von Systemen in den Bereichen Mobilfunk, Test- und Messeinrichtungen, medizinische Bildverarbeitung und anderen Applikationen sollen von den höheren Geschwindigkeiten, den geringeren Verzerrungen, dem breiteren Dynamikbereich und der höheren Integrationsdichte der neuen Technologie profitieren, so TI.

Die in 0,4-Mikrometer-Strukturen gefertigten Emitter-NPNs und -PNPs besitzen eine Nenn-Verstärkungslinearität von 30.000 bzw. 10.000 Volt. Damit wird es erstmals möglich sein, Analogkomponenten zu entwickeln, die mit 100 MHz betrieben werden und einen Verzerrungspegel von -100 dB besitzen.

"Mit dem BiCom-III-Prozess und anderen neuen Analogprozessen, die gerade entwickelt werden, unterstreicht TI sein Engagement für den Markt der Hochleistungs-Analogbausteine. BiCom-III gibt unseren Entwicklern die Möglichkeit, ein gewaltiges Spektrum von Hochleistungsprodukten zu realisieren, die Kunden gerne einsetzen möchten, aber derzeit nicht bekommen können", sagte Gregg Lowe, Senior Vice President des Geschäftsbereichs für Hochleistungs-Analogprodukte bei TI. "Diese Technologie und die damit möglichen Produkte stärken die Position von TI im Markt für hochleistungsfähige Analogbausteine."

In drahtlosen Hochgeschwindigkeitssystemen wie beispielsweise Telefon-Basisstationen, LANs und Datenübertragungsstationen sollen diese ICs Funktionen ermöglichen, mit denen mehr Kanäle mit größerer Bandbreite und Genauigkeit auf geringerem Raum untergebracht werden können. Durch den größeren Dynamikbereich sollen zudem Frequenzzwischenstufen entfallen können. Vom größeren Dynamikbereich werden vor allem die medizinische Bildverarbeitung, aber auch andere Applikationen wie etwa Kabelmodems und Vorverstärker für Festplattenlaufwerke profitieren können, so TI.

Der BiCom-III-Prozess wurde in den TI-Fertigungsanlagen in Freising entwickelt. Die endgültige Freigabe ist für das dritte Quartal 2002 vorgesehen. Die Volumenfertigung von BiCom-III-Produkten auf 200-mm-Wafern wird voraussichtlich Ende 2002 aufgenommen werden.


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