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Neue IBM-Fertigungsstätte für 300-mm-Chip-Wafer

Investitionsvolumen von rund 2,5 Milliarden US-Dollar

IBM hat im US-Staat New York eine neue IBM-Halbleiterfertigungsstätte für 300-Millimeter-Wafer eingerichtet, die weltweit zu den fortschrittlichsten Einrichtungen zählen soll. In der Anlage sollen Chips für Kunden von IBM Microelectronics entwickelt und gefertigt werden.

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Dies umfasst sowohl kundeneigene als auch IBMs maßgeschneiderte und standardisierte Chips. Die neue Fabrik verbindet IBMs Chipfertigungstechniken wie Kupferverdrahtung, Silicon-on-Insulator-basierte (SOI) Transistoren, verbesserte ("low-k dielectric") Isolierung und die Möglichkeit, Strukturen mit weniger als 100 Nanometern zu produzieren mit gesenkten Fertigungskosten durch die großen Siliziumwafer. Die Arbeit an Chip-Prototypen von Kunden soll bereits begonnen haben und die Massenfertigung im Laufe des Jahres beginnen.

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IBM-Präsident und -CEO Samuel J. Palmisano betonte in einer Pressemitteilung, dass man das eigene Mikroelektronik-Geschäft mit dem neuen Werk stärke. IBM sieht seine Chance darin, dass es für die verschiedenen Chiphersteller mit jeder neuen Technikgeneration problematischer werde mitzuhalten. Um die Region im Bereich High-Tech zu stärken und für Investitionen interessanter zu machen, will IBM mit bedeutenden New-York-Universitäten zusammenarbeiten.

Die neue Halbleiterfertigungsstätte in East Fishkill ist rund 13.000 Quadratmeter groß, das Investitionsvolumen soll rund 2,5 Milliarden US-Dollar betragen. Der hochautomatisierte Fertigungsbereich wird von 1.700 Prozessoren (über 1 GHz Taktfrequenz) gesteuert, zudem stehen 110 Terabyte Speicherkapazität zur Verfügung - mehr als die NASA für den Start des Space Shuttle benötigt, so IBM.



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