IBM stellt den 100-millionsten Silizium-Germanium-Chip her

Silizium-Germanium-Fertigungstechnik erstmals 1989 vorgestellt. IBM hat mitgeteilt, dass man den 100-millionsten auf Silizium-Germanium-Technologie basierenden Chip hergestellt habe. Die US-Produktionsstätte in Burlington, Vermont, konnte diesen Rekord für sich beanspruchen.

22. Mai 2002 um 09:15 Uhr / Andreas Donath

Der Chip ging nach Angaben von IBM an den Kunden Tektronix, der Testgeräte für vielfältige Einsatzzwecke herstellt. Ende Februar 2002 konnte IBM den weltweit schnellsten Halbleiter auf Silizium-Germanium-Technologie vorstellen, der über 110 GHz getaktet ist und ein elektrisches Signal in einer 4,3-Milliardstel-Sekunde verarbeiten kann.

IBM hat erstmals 1989 seine Silizium-Germanium-Fertigungstechnik vorgestellt. Die ersten kommerziellen Chips erschienen im Oktober 1998. Bei SiGe werden die elektrischen Eigenschaften von Silizium durch Germanium verbessert, wodurch die Chips effizienter arbeiten. Die Technik werde bereits in großen Umfang in schneller Netzwerkhardware eingesetzt, so IBM. Zudem ermögliche SiGe eine bessere Integration von weiteren Funktionen auf einem einzelnen Chip, was in höherer Leistung, niedrigerem Strombedarf, weniger Gewicht und geringeren Kosten münde.