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Samsung und Toshiba nutzen gleiches Netzwerk-DRAM-Interface

Schnelles "Network Specific DRAM" auch als Speicher für High-End-Computer

Toshiba und Samsung Electronics haben sich auf eine gemeinsame Speicher-Schnittstelle für Hochleistungs-Netzwerk-Anwendungen geeinigt. Während Toshiba bereits entsprechendes "Network Specific DRAM" fertigt, will Samsung die Massenproduktion im dritten Quartal 2002 starten.

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Toshibas "Network Specific DRAM" basiert auf einem gemeinsam mit Fujitsu entwickelten 256 MBit DDR FCRAM. Muster von Samsungs 256-MBit-Netzwerk-DRAM, die voll kompatibel zu Toshibas FCRAM sind, sollen bereits verfügbar sein. Beide Unternehmen werden ihre Netzwerk-DRAMs zwar getrennt fertigen und vermarkten, wollen aber ihren Kunden durch die Kooperation eine stabile Versorgung mit schnellem Netzwerk-DRAM sicherstellen und gleichzeitig ihre eigene Marktposition stärken.

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"Network Specific DRAM"-Module sollen bei den Lese-Schreib-Zyklen und Latenzzeiten um 50 Prozent schneller sein als die noch jungen DDR333-SDRAMs. Zudem sollen sie im Vergleich mit anderen neuen DRAM-Techniken die schnellsten Datentransferraten bieten und über eine "Late-Write"-Funktion für effiziente Datenbus-Nutzung verfügen.

Samsung und Toshiba wollen die "Network Specific DRAM"-Module nicht nur als Pufferspeicher und zur Look-up-Table-Nutzung in Netzwork-Applikationen platzieren, sondern auch als Cache und Hauptspeicher für High-End-Computer anbieten.



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