Samsung: Sparsames 512-MBit-SDRAM für PDAs und Handys

Erste Muster bereits lieferbar

Samsung Semiconductor hat einen der ersten Low-Power-512-Mbit-DRAM-Bausteine für mobile Geräte wie GPRS- und UMTS-Mobiltelefone, PDAs und Digitalkameras vorgestellt. Der in 0,15 Mikron gefertigte Speicherbaustein benötigt lediglich 2,5 Volt und soll im Stand-by-Modus nur halb so viel Energie verbrauchen wie konventionelle SDRAMs.

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Möglich werde dies laut Samsung durch zwei Funktionen: Ein "Partial Array Self Refresh" (PASR) sorgt dafür, dass der "self-refresh" nur auf denjenigen Speicherbänken durchgeführt wird, die Daten enthalten. Zudem sorgt der "Temperature Compensated Self-Refresh" (TCSR) dafür, dass die Refresh-Geschwindigkeit auf die Gerätetemperatur angepasst wird.

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Samsung liefert bereits erste Muster des neuen 512-MBit-Mobile-SDRAM im kleinen BGA-Chipgehäuse aus, entweder mit 16-Bit-Bus im 54-Ball BGA Package oder mit 32-Bit-Bus im 90-Ball BGA Package.

Mobile-SDRAM mit Kapazitäten von 64 MBit, 128 MBit und 256 MBit liefert Samsung seit Anfang des Jahres aus und erhofft sich in diesem Speichersegment bis 2003 einen Marktanteil von 50 Prozent.

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