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Intel baut weltweit kleinste SRAM-Zelle

Fläche von nur einem Quadratmikrometer

Forscher der Intel Corporation haben die weltweit kleinste SRAM-(Static-Random-Access-Memory-)Speicherzelle hergestellt, die lediglich 1 Quadrat-Mikrometer (µm2) groß ist. Diese SRAM-Zelle wurde unter Verwendung von Intels 90-Nanometer-(90-nm-)Prozesstechnologie als Teil eines voll funktionsfähigen SRAM-Speicherchips hergestellt.

Dies belege laut Intel, dass man die 90-Nanometer-Technologie planmäßig im Jahr 2003 in der Produktion einsetzen kann.

"Mit der 1-µm2-SRAM-Zelle haben wir eine neue Bestmarke in der Siliziumtechnologie gesetzt", sagte Sunlin Chou, Senior Vice President und General Manager der Intel Technology und Manufacturing Group. "Dieses Ergebnis bestätigt unsere Führungsposition bei der Halbleiterherstellung für Mikroprozessoren und weitere Produkte."

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Intel setzt mit der 90-nm-Prozesstechnologie im nächsten Jahr die 12-jährige Serie bei der Einführung einer neuen Prozessgeneration in jedem zweiten Jahr fort. Den neuen 90-nm-Prozess wird Intel ausschließlich auf 300-mm-Wafern einsetzen und viele seiner Produkte wie Prozessoren, Chipsätze oder Kommunikationsprodukte damit herstellen.

Intel-Forscher haben bei diesen Chips mit 52-Megabit die höchste Dichte bei SRAM-Chips erreicht, die jemals gemeldet wurde. Die Chips enthalten 330 Millionen Transistoren auf einer Fläche von lediglich 109 mm2 (deutlich kleiner als ein Ein-Cent-Stück mit ca. 177 mm2). Die 52-Megabit-SRAM-Speicherchips wurden in Intels 300-Millimeter-Entwicklungsfabrik D1C in Hillsboro (Oregon, USA) unter Verwendung einer Kombination aus 193-nm- und 248-nm-Lithographie-Tools hergestellt.


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