IBM: Halbleiter-Schaltkreis mit über 110 GHz

Neue Silizium-Germanium-Technik "SiGe 8HP" noch 2002 im Einsatz

IBM hat den laut eigenen Aussagen weltweit schnellsten Halbleiter entwickelt. Der Test-Schaltkreis wurde mit IBMs Silizium-Germanium-Chip-Technologie entwickelt, soll über 110 GHz getaktet sein und ein elektrisches Signal in einer 4,3-Milliardstel-Sekunde verarbeiten können.

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Die "SiGe 8HP" getaufte neue Silizium-Germanium-Technik stellt IBM nun weltweit Kommunikationsausrüstern zur Beschleunigung von Netzwerk-Chips zur Verfügung. Erste Chips sollen laut IBM später in diesem Jahr zu erwarten sein. Zu den ersten Unternehmen, die entsprechende Chips entwickeln, zählt Sierra Monolithics.

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"Viele Chiphersteller beginnen erst zu demonstrieren, dass sie SiGe-Transistoren herstellen können, während wir schon die vierte Generation unserer Technik erreicht haben", so Dr. Bernard Meyerson, Vice President des IBM Communications Research and Development Center auf der 2002 Compound Semiconductor Outlook Conference.

IBM hat erstmals 1989 seine Silizium-Germanium-Fertigungstechnik vorgestellt. Die ersten kommerziellen Chips erschienen im Oktober 1998. Bei SiGe werden die elektrischen Eigenschaften von Silizium durch Germanium verbessert, wodurch die Chips effizienter arbeiten. Die Technik werde bereits in großen Umfang in schneller Netzwerkhardware eingesetzt, so IBM. Zudem ermögliche SiGe eine bessere Integration von weiteren Funktionen auf einem einzelnen Chip, was in höherer Leistung, niedrigerem Strombedarf, weniger Gewicht und geringeren Kosten münde.

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