Infineon beschleunigt CMOS-Chips

Forscher verbessern CMOS-Technik für den Einsatz in Netzwerk-Hardware

Die Infineon Technologies AG hat in dieser Woche auf der internationalen Halbleitertechnologie-Konferenz ISSCC 2002 in San Francisco gleich vier Durchbrüche in der Halbleiter-Entwicklung vermelden können. So gelang es ihnen, die Geschwindigkeit von Halbleitern in der bewährten, preiswerten CMOS-Technik (Complementary Metal Oxide Silicon) so weit zu steigern, dass sie diese teuren Bauelemente - beispielsweise in Netzwerk- und Telekommunikations-Equipment - ersetzen können.

Artikel veröffentlicht am 7. Februar 2002, 12:05 Uhr, Christian Klaß

Mit der CMOS-Technik werden seit Jahren integrierte Schaltkreise hergestellt, die eine Vielzahl von Halbleiterkomponenten enthalten und sich unter anderem durch geringen Stromverbrauch und große Störungsfestigkeit auszeichnen. CMOS ist daher weit verbreitet und wird beispielsweise in jedem PC eingesetzt.

Da in heutigen Telekommunikations-Netzen an wenigen Knotenpunkten in jeder Sekunde Datenströme im Gigabit-Bereich zusammenkommen, konnten laut Infineon bisher nur vergleichsweise teure Bauelemente aus Silizium Germanium oder Gallium Arsenid eingesetzt werden. Die von Infineon vorgestellten CMOS-Chips sollen nun hinsichtlich ihrer Schaltgeschwindigkeit Weltrekordwerte erreichen - und in "Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikationseinrichtungen der nächsten Generation" dazu beitragen, Daten noch effektiver und schneller zu transportieren.

Einer der neuen CMOS-Chips soll als Taktgeber dafür sorgen, dass alle Systeme in einem Vermittlungssystem synchron laufen. Dieses CMOS-Bauteil bewältigt pro Sekunde 51 Milliarden Schwingungen - bei einer niedrigen Leistungsaufnahme von nur einem Milliwatt. Der Stromverbrauch sinkt damit laut Infineon auf weniger als ein Zehntel des bislang erreichten. Auch bei den Abmessungen soll der neue Chip sparen: Der gesamte Testchip ist 0,5 x 0,9 mm groß, die eigentliche Anwendung misst lediglich 50 Tausendstel mal 80 Tausendstel Millimeter.

Weitere Neuerungen konnten die Münchner Infineon-Forscher auch bei einer Schaltung in Silizium Germanium, bei einem Frequenzteiler und einem Multiplexer vermelden.